دانلود پایان نامه جمع‌آوری و تدوین استانداردهای مستند سازی ISO , IEEE

اختصاصی از زد فایل دانلود پایان نامه جمع‌آوری و تدوین استانداردهای مستند سازی ISO , IEEE دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

کار تحقیق 1997 و تحقیق گزارش شده در اینجا بخشی از کار آرایه‌ای انجام شده از طریق مدرسه سیستم‌های اطلاعاتی دانشگاه Monash، ملبورن، استرالیا است. مطالعه موردی بررسی توسعه 20 سیستم اطلاعاتی را شامل می‌شد. نیمی از سیستمها در طول توسعه، یک ارتباط رسان فنی را حاضر کردند، که با سیستم‌های نوع A شناسایی می‌شدند و نیمی دیگر سیستم‌های نوع B بودند که از حضور آنها استفاده نکردند.
مصاحباتی با حدود 4 و 7 نفر برای هر سیستم انجام شده و توسعه دهنده کاربران و ارتباط رسان فنی را شامل می‌شود و هر جا که قابل کاربر بود ، مصاحبه با 90 نفر انجام شده و 40 ساعت از نوارهای ضبط شده جمع آوری می‌شدند.
برای تضمین اینکه یک ساختار مرتبط و ثابت برای جمع آوری اطلاعات حفظ شده بود. یک کتابچه درآغاز ایجاد شد که تمام پرسشهای، موضوعات گوناگون را شامل می‌شد، از مصاحبه شوندگان خواسته شد تا برخی بخشهای کتابچه را در طول مصاحبه کامل کنند. یادداشتهای اضافی یا مشاهداتی نیز در طول فرآیند مصاحبه در کتابچه ثبت شدند. اگر چه از مصاحبه شوندگان پرسش‌های مشابهی پرسیده شد، آنها به کیفیت بخشی شفاهی پاسخهای کتبی خود تشویق شدند، زمانیکه آنها پرسشهای کتابچه را پاسخ می‌دادند، پرسشهای دیگری هم مطرح شدند که نتیجه آنها داده‌های کمی و کیفی بود.

فصل 1 ‍: استانداردهای مستندسازی IEEE
بخش 1-ارزش نقش ارتباط رسانهای فنی در توسعه سیستم‌های اطلاعاتی
چکیده:    1
روش تجزیه و تحلیل های مطالعه موردی     4
بحث در مورد یافته ها     5
دیدگاه ارتباط سازمان فنی     5
دیدگاههای کاربر     11
تجزیه و تحلیل داده های کیفی کاربر     16
طراحی رابط کاربر     19    
بخش 2 - کاربرد سبک های یادیگری در تهیه گزارش نرم افزار
 اصطلاحات شاخص    27
تغییر دادن سبک ها     32
بخش 3 - گرایشات در تولید گزارش اتوماتیک
کاربرداتوماسیون     39
پیشینه    40
کاهش تلاش    43
 
فصل 2 : استانداردهای مستندسازی ISO
بخش 1. استانداردهای بین المللی
مقدمه    47
موضوع    48
مرجع های معیار و ضابطه ای    48
تعاریف     49
ویژگیهای مورد نیاز     49
گزارش     53
بخش 2: پردازش اطلاعات – دستورالعمل های برای مستندسازی سیستم های کاربردی بر مبنای کامپیوتر
موضوع و زمینه کاربرد     55
اصول مستندسازی     56
احتمال مطالعه    59
مطالعه طرح سیستم     63
طراحی سیستم و توسعه     66
پشتیبانی سیستم     69
اجزای سیستم     72
بررسی های اجرای بعدی     73
مدیریت سندها    74
بخش 3 - سندسازی - ارائه پایان نامه ها و سندهای مشابه:
مقدمه
* موضوع و زمینه کاربری     84
* منابع     85
* تعاریف     85
* مقدمه های تولید     85
 *تربیت اجزاء    86
* جلد     87
 صفحه  گذاری     88
* غلط نامه     91
*چکیده نامه مطالب     92
*فهرست مطالب     92
*تصاویر جداول     93
*علائم اختصاری     93
*متن اصلی     94
*لیست منابع کتاب شناختی     99
*ضمیمه ها:    99
*فهرست راهنما     100
*کتاب شناختی     101
بخش 4 - تکنولوژی اطلاعاتی - خط مشی های برای مدیریت مستندات نرم افزار
*موضوع     103
*منابع     104
*تعاریف     104
*نقش مدیران     104
عملکردهای مستندات نرم افزار     105
ایجاد سیاست (حط مشی) مستندسازی     108
ایجاد استانداردهای مستندسازی و دستورالعمل ها    110
ایجاد مراحل مستندسازی     118
توزیع منابع به مستندات     118
برنامه ریزی مستندسازی     120

شامل 127 صفحه فایل word

کارگاه مدل سازی

اختصاصی از زد فایل کارگاه مدل سازی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

فایل بصورت ورد (قابل ویرایش) و در 37 صفحه می باشد.

روشی که در اینجا استفاده می شود روش قالبگیری co2 می باشد  .

ماده دیر گداز + چسب + فعال کننده چسب + سایر مواد

ماسه سیلسی + سیلیکات سدیم + گاز co2 + .. .

پس از تهیه قالب به منظور ایجاد استحکام کافی از قالب آن را تحت دمش گاز co2 قرار می دهند تا باعث اتصال ذرات ماسه یه یکدیگر می شود .

از مزایای این روش : 1- دقت ابعادی و صافی سطح خوب

2- قابلیت شکل پذیری خوب

معایب این روش : 1- استحکام باقی مانده زیاد

2- عمر مفید کم (جذب گاز از محیط)

این روش برای مدلهای صفحه ای بیشتر استفاده می شود چون استحکام زیاد آن باعث می شود تا صفحه کمتر خم شود . در بخش قالبگیری برای تهیه قالبی با توجه به قطعه مورد نظر به مواد زیر نیز احتیاج داریم :

• مدل (بر اساس قطعه مورد نظر) 2- درجه 3- ماسه 4- گاز co2 5- تغذیه 6- راهگاه 7- ماهیچه (بر اساس قطعه مورد نظر ) 8- پودر سپاریت 9- سیخ …

مدلهای مورد استفاده در این قسمت در قسمت مدلسازی آماده می شود .

مدلهای مورد استفاده عبارتند از : 1- مدلهای یک تکه 2- مدل صفحه ای با سیستم راهگاهی 3- مدل همراه قطعه آزاد

مدلها از لحاظ جنس به صورت فلزی و چوبی می باشند .

نحوه قالبگیری مدل صفحه ای به این گونه است که تای رو و زیر مدل روی صفحه چوبی قرار دارد و راهگاه فرعی آن روی صفحه چوبی در نظر گرفته شده است و هر دو تای جداگانه قالبگیری می شود و بعد از اتمام کار روی هم قرار می گیرند .

درجه : جعبه ای است فلزی که حاوی ماده قالبگیری است و قالب به کمک آن تهیه می شود . درجات تای رو زیر را تشکیل می دهند . تعداد درجات در هر تای ممکن است متفاوت باشد . کوچکترین درجه ای که در کارخانه موجود بود حدوداً به اندازه 1*1 و بزرگترین آن 2*2 است .

پروژه کارآفرینی وطرح توجیهی شرکت کنتور سازی ایران

اختصاصی از زد فایل پروژه کارآفرینی وطرح توجیهی شرکت کنتور سازی ایران دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود پروژه کارآفرینی  وطرح توجیهی شرکت کنتور سازی ایران بافرمت ورد وقابل ویرایش تعدادصفحات 67

این پروژه کار آفرینی هم در قالب درس کار آفرینی دانشجویان عزیز قابل ارائه میباشد و هم میتوان به عنوان طرح توجیهی برای دریافت وام های اشتغالزایی به سازمان مورد تقاضا ارائه نمود

فصل اول

- معرفی طرح 1-2-مشخصات محصول  1-1-2- نام و کاربرد محصول:  کنتور سازی ایران ، تولید انواع کنتور های فشار قوی و برق شهری      4-1-2-تشریح مختصر فرایند  کنتور سازی ایران                  فصل دوم   تعیین ظرفیت         فصل دوم – تعیین ظرفیت : 2-2-تعیین ظرفیت انجام فعالیت ردیف    نام محصول    ظرفیت انجام فعلالیت  سالانه    ظرفیت انجام فعالیت  ماهانه    ظرفیت انجام فعالیت روزانه 1    کنتور برق فشار قوی    4320    360    12 2    کنتور برق شهری    3600    300    10 3    کنتور برق دیجیتال    3600    300    10   2-3-برآورد میزان مصرف مواد اولیه و قطعات خریدنی برای هر پروژه ردیف    نام ماده اولیه/ قطعات خریدنی    مشخصات فنی    مصرف سالیانه    منبع تامین             مقدار    واحد    داخلی    خارجی 1    کلیدهای قدرت روغنی     X3i            *     2    کلیدهای قدرت با محفظه آبی     Z5 - Simens                * 3    کلیدهای قدرت قطع بادی (AIRBLAST)                    * 4    کلیدهای قدرت کم روغن (MINIMUMOIL)                *     5    کلیدهای قدرت کم روغن (MINIMUMOIL)                *     6    کلیدهای خلاء (VACUUM)    با ضخامت 0.5 میلی            *     7    کلیدهای گازی SF6     با ضخامت 2.5 میلی            *     8    سکسیونر تیغه ای یا اره ای    با ضخامت 1 میلی            *     9    سکسیونر دورانی                *     10    سکسیونر قیچی ای یا پانتوگراف     میخ پرچ            *       2-4-معرفی تجهیزات و تاسیسات عمومی ردیف    عنوان تاسیسات    به مقدار مصرف    مقدار مصرف         محوطه    کارگاه    اداری    بنزین    گازوییل 1    برق    *    *    *    *     2    آب    *    *    *        * 3    گاز        *    *        * 4    تلفن        *    *         5    سوخت گرمایش        *    *            2 – 5 – وسایل حمل و نقل   ردیف    شرح و مشخصات فنی     تعداد     هزینه واحد    مبلغ کل 1    لیفتراک به ظرفیت 2 تن    3    11000000    33000000 2    وانت بار    5    8000000    40000000 3    مینی بوس    3    12000000    360000000 4    کامیون    2    40000000    80000000 5    خودروی سواری    پژو 3 دستگاه    12000000    36000000 جمع وسایل حمل و نقل    225000000

دانلود پایان نامه ترانزیستورهای اثر میدانی تونلی (TFET ) و بهینه سازی مشخصات آن

اختصاصی از زد فایل دانلود پایان نامه ترانزیستورهای اثر میدانی تونلی (TFET ) و بهینه سازی مشخصات آن دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

در این پایان نامه اصول فیزیکی حاکم بر افزاره TFET و همچنین مشخصه های الکتریکی افزاره مورد بررسی قرار گرفته است. در فصل سوم آثار کانال کوتاه افزاره TFET با افزاره MOSFET مقایسه شده است. یکی از چالش های اصلی در TFET، بهینه سازی لحظه ای نسبت Ion/Ioff است. در فصل چهارم کارهایی که تاکنون برای افزایش نسبت Ion/Ioff انجام شده است مورد بررسی قرار می گیرد. در فصل پنجم، چهار ساختار بدیع برای کاهش جریان نشستی افزاره و افزایش نسبت Ion/Ioff ارائه شده است. ساختارهای پیشنهادی با شبیه ساز افزاره DESSIS شبیه سازی شده اند. ساختار اول، TFET تک گیتی با اکسید گیت نامتقارن است که در مقایسه با TFET تک گیتی با اکسید گیت متقارن سرعت کلیدزنی بالایی دارد. ساختار دوم TFET دو گیتی با اکسید گیت نامتقارن است که در مقایسه با TFET تک گیتی با اکسید گیت نامتقارن، جریان حالت روشن دو برابر دارد. ساختار سوم TFET تک گیتی با اکسید Low-k و ساختار چهارم TFET دو گیتی با اکسید low-k است که دارای مشخصات زیر آستانه قابل توجهی نسبت به TFET تک گیتی است.

مقدمه:

با پیشرفت فناوری، ابعاد افزاره MOSFET کاهش یافته و به رژیم نانومتر مقیاس شده است. هدف از مقیاس بندی بیش از حد افزاره ها، دستیابی به مداراتی است که توان مصرفی اندک، سرعت زیاد و چگالی افزاره بالایی دارند. لیکن با کاهش طول گیت آثار کانال کوتاه (SCEs) پدیدار شده و مقیاس بندی افزاره را محدود می کند. آثار کانال کوتاه شامل افزایش جریان نشتی، کاهش سد پتانسیل القاء شده توسط درین (DIBL)، سوراخ شدگی، اشباع سرعت و… است که منشأ تمام آنها افزایش عرض ناحیه تخلیه در طرف درین است. در افزاره های MOSFET، آثار کانال کوتاه برای طول گیت های کمتر از 100nm ظاهر شده و باعث می شود منحنی مشخصه خروجی افزاره (ID-VDS) حتی در ناحیه اشباع به مقدار ثابتی نرسد.

آثار کانال کوتاه موجب کاهش کارآیی افزاره می گردد، لذا نیاز به افزاره های جدید برای مقابله با SCEs روز به روز بیشتر احساس می شود. یکی از افزاره هایی که اخیرا مطرح شده TFET می باشد. این افزاره برای اولین بار توسط “توشیو بابا” در سال 1992 پیشنهاد شد. با پیشرفت فناوری و نیاز به افزاره های با جریان نشتی کم برای کاربردهای توان پایین، TFET مورد توجه قرار گرفته است. تاکنون کارهای متعددی برای بهینه سازی مشخصات TFET صورت گرفته است. این افزاره نسبت به MOSFET، جریان نشت استاتیک کمتری دارد و در مقابل SCEs مقاوم تر است.

فصل اول: کلیات

مقدمه:

ترانزیستور اثر میدان تونلی (TFET) یک دیود p-i-n بایاس معکوس است که پتانسیل ناحیه ذاتی آن توسط گیت کنترل می شود. در این فصل مؤلفه های جریان بایاس معکوس یک پیوند p-n شرح داده می شود. در ادامه با تاریخچه افزاره TFET و چالش اصلی در آن آشنا می شویم و به بررسی کارهای انجام شده برای بهبود مشخصه Ion/Ioff خواهیم پرداخت.

1-1- پیوند p-n تحت شرایط بایاس معکوس

شکل (1-1) یک پیوند p-n را تحت شرایط بایاس معکوس نشان می دهد. با افزایش بایاس معکوس، ممکن است که جریان دیود به طور فزاینده ای افزایش یابد. این پدیده که شکست نامیده می شود ممکن است به لحاظ یکی از سه منشأ زیر به وجود آید. اولین علتی که بررسی خواهیم کرد، سوراخ شدن خوانده می شود.

1-1-1- سوراخ شدن

با افزایش بایاس معکوس، عرض ناحیه تخلیه که بر روی آن پتانسیل افت می کند، افزایش می یابد. وضعیت را در نظر بگیرید که در آن ناحیه ای که آلایش زیادی از نوع p دارد، در مجاورت ناحیه ای که دارای آلایش اندک نوع n است قرار داشته باشد. در این صورت ناحیه تخلیه طرف n بسیار بزرگتر از ناحیه تخلیه طرف p است. در ولتاژ زیاد معینی، ناحیه تخلیه طرف n به اتصال اهمی طرف n خواهد رسید. اگر ولتاژ باز هم افزایش یابد، اتصال رسوخ میدان الکتریکی را احساس خواهد کرد و الکترون در اختیار دیود p-n قرار خواهد داد. در نتیجه دیود اتصال کوتاه می شود و جریان صرفا توسط مقاومت های مدار خارجی محدود می گردد.

2-1-1- یونیزه شدن برخوردی یا شکستن بهمنی

افزایش بایاس معکوس موجب افزایش انرژی حامل ها می شود، در این شرایط الکترونی که خیلی داغ می باشد، از الکترونی که در نوار ظرفیت قرار دارد، از طریق برهم کنش کولمبی پراکنده می شود و آن را به نوار هدایت پرتاب می کند. الکترون اولیه باید انرژی کافی را برای بالا بردن الکترون از نوار ظرفیت به نوار هدایت فراهم آورد. بنابراین انرژی الکترون اولیه باید کمی بزرگتر از شکاف انرژی (که نسبت به کمینه نوار هدایت اندازه گیری می شود) باشد. حال در تراز نهایی، دو الکترون در نوار هدایت و یک حفره در نوار ظرفیت داریم. بنابراین تعداد بارهایی که جریان را حمل می نمایند، تکثیر یافته است. این پدیده اغلب پدیده بهمنی نامیده می شود. توجه داشته باشید که این مسأله برای حفره های داغ نیز ممکن است اتفاق بیفتد و حفره ها نیز می توانند آغازگر پدیده بهمنی باشند.

شامل 124 صفحه فایل pdf

دانلود پایان نامه پیاده سازی شاخصهای تشخیص پدیده ناپایداری ولتاژ و بهبود (VSLBI) شاخص انتخابی

اختصاصی از زد فایل دانلود پایان نامه پیاده سازی شاخصهای تشخیص پدیده ناپایداری ولتاژ و بهبود (VSLBI) شاخص انتخابی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

پیادهسازی شاخصهای تشخیص پدیده ناپایداری ولتاژ و بهبود
(VSLBI) شاخص انتخابی

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب* 

فرمت فایل:PDF

تعداد صفحه:116

پایان نامه برای دریافت درجه کارشناسی ارشد “M.Sc”

مهندسی برق - قدرت

فهرست مطالب :

چکیده 1
مقدمه 2
فصل اول : مفاهیم پایه در پایداری ولتاژ 5
1-1 مقدمه 6
2 مفاهیم پایه پایداری ولتاژ 6 -1
1-2 پایداری ولتاژ و فروپاشی ولتاژ 6 -1
7 P-V 2-2 منحنی های -1
9 V-Q 3-2 منحنی های -1
10 P-V 3 تاثیر پارامترهای مختلف بر روی منحنی -2
1-3 ضریب توان 10 -2
2-3 نوع بار 13 -2
3-3 تغییر دهنده تپ 17 -1
تنظیم کننده خودکار ولتاژ 17 ،AVR 4-3 -1
5-3 المانهای شبکه 17 -1
1-5-3 قطع خط 17 -1
2-5-3 از مدار خارج شدن ترانسفورماتور 17 -2
3-5-3 از مدار خارج شدن ژنراتور 17 -1
4-5-3 افزودن خازن شنت 18 -1
5-5-3 حذف بار 18 -1
فصل دوم : روش های تشخیص پدیده ناپایداری ولتاژ 19
1 مقدمه 20 -2
2 شاخصهای مربوط به شینه بار 20 -2
20 VSLBI 1-2 شاخص -2
24 ZL/ZS 2-2 شاخص -2
29 SDC 3-2 شاخص -2
31 Indicator 4-2 شاخص -2
3- شاخصهای مربوط به خط انتقال 36 2
36 VSMI 1-3 شاخص -2
1-1-3 مدل ریاضی پایه 36 -2
2-1-3 معادلات کلی برای خط انتقال دارای تلفات 38 -2
3-1-3 بکار بردن شاخص در سیستم قدرت گسترده 41 -2
42 FVSI 2-3 شاخص -2
44 Lmn 3-3 شاخص -2
45 LQP 4-3 شاخص -2
فصل سوم : پیاده سازی روش های تشخیص ناپایداری ولتاژ در حالت اغتشاش کوچک و بهبود آنها
1 مقدمه 48 -3
2 پیاده سازی شاخص های مربوط به شینه بار 48 -3
50 VSLBI 1-2 شاخص -3
در شبکه دو شینه 50 VSLBI 1-1-2 پیادهسازی شاخص -3
54 IEEE در مدار 9 شینه VSLBI 2-1-2 بکار بردن شاخص -3
55 ZL/ZS 2-2 شاخص -3
در شبکه دو شینه 55 ZL/ZS 1-2-2 پیادهسازی شاخص -3
58 IEEE در مدار 9 شینه ZL/ZS 2-2-2 بکار بردن شاخص -3
63 SDC 3-2 شاخص -3
در شبکه دو شینه 63 SDC 1-3-2 پیادهسازی شاخص -3
64 IEEE در شبکه 9 شینه SDC 2-3-2 بکار بردن شاخص -3
66 Indicator 4-2 شاخص -3
در شبکه دو شینه 66 Indicator 1-4-2 پیادهسازی شاخص -3
67 IEEE در شبکه 9 شینه Indicator 2-4-2 بکاربردن شاخص -3
5-2 جمع بندی عملکرد شاخص های مربوط به شینه بار 68 -3
3 پیاده سازی شاخص های مربوط به خط انتقال 70 -3
70 VSMI 1-3- شاخص 3
در شبکه دو شینه 70 VSMI 1-1-3 پیادهسازی شاخص -3
71 IEEE در شبکه 9 شینه VSMI 2-1-3 بکاربردن شاخص -3
72 FVSI 2-3- شاخص 3
در شبکه دو شینه 72 FVSI 1-2-3 پیادهسازی شاخص -3
73 IEEE در شبکه 9 شینه FVSI 2-2-3 بکاربردن شاخص -3
73 Lmn 3-3- شاخص 3
در شبکه دو شینه 73 Lmn 1-3-3 پیادهسازی شاخص -3
74 IEEE در شبکه 9 شینه Lmn 2-3-3 بکاربردن شاخص -3
74 LQP 4-3- شاخص 3
در شبکه دو شینه 74 LQP 1-4-3 پیادهسازی شاخص -3
76 IEEE در شبکه 9 شینه LQP 2-4-3 بکاربردن شاخص -3
5-3- جمع بندی عملکرد شاخص های مربوط به خط انتقال 76 3
فصل چهارم : پیاده سازی روش های تشخیص ناپایداری ولتاژ در حالت اغتشاش بزرگ
و بهبود روش های موجود 78
1 مقدمه 79 -4
2 پیادهسازی شاخصهای مربوط به شینه بار 80 -4
80 VSLBI 1-2 شاخص -4
81 ZL/ZS 2-2 شاخص -4
83 SDC 3-2 شاخص -4
84 Indicator 4-2 شاخص -4
5-2 جمع بندی عملکرد شاخص های مربوط به شینه بار 85 -4
3- پیاده سازی شاخص های مربوط به خط انتقال 86 4
86 VSMI 1-3 شاخص -4
87 FVSI 2-3 شاخص -4
87 Lmn 3-3 شاخص -4
88 LQP 4-3 شاخص -4
5-3 جمع بندی عملکرد شاخص های مربوط به خط انتقال 89 -4
4 مقایسه شاخص مربوط به شینه بار و شاخص های مربوط به خط انتقال 90 -4
فصل پنجم : نتیجهگیری و پیشنهادها 91
1 نتیجهگیری 92 -5
2 پیشنهادهای ادامه کار 94 -5
پیوست ها 95
پیوست 1: روشهای تخمین مدار معادل تونن 96
منابع و ماخذ 99
فهرست منابع فارسی 99
فهرست منابع لاتین 100
چکیده انگلیسی 102

چکیده :

پدیده ناپایداری ولتاژ از دهههای آغازین قرن بیستم و با رشد صنعت برق مورد توجه محققان،
علاقهمند در این زمینه قرار گرفت و در طول دهههای گذشته روشهایی برای تشخیص این پدیده
و جلوگیری از آن ارائه شده است. از طرف دیگر در شبکههای امروزی به دلیل رشد کم سیستمهای
قدرت در برابر افزایش مصرف و از طرفی حرکت به سمت سیستمهای تجدید ساختار یافته، سبب
افزایش فشار بر سیستمهای قدرت شده است بنابراین یکی از مهمترین دغدغه های صنعت برق
بحث پایداری ولتاژ میباشد. این نکته باعث شده تا بار دیگر نظر محققان به این مسئله جلب شود. و
باعث ارائه روشهای تازهای برای تشخیص پدیده ناپایداری ولتاژ گردیده است که پیچیدگی و
محاسبات زیاد روشهای گذشته را نداشته و کارکرد قابل قبولی در نتیجههای بدست آمده ا ز آنها
دیده میشود. بنابراین در این پایاننامه به کمک تعدادی از این روشها به بررسی تشخیص پدیده
ناپایداری ولتاژ پرداخته خواهد شد.و در مواردی کارکرد آنها بهبود داده خواهد شد.
روشهای بررسی شده در این پایاننامه به دو دسته شاخصهای شین و شاخص های خط تقسیم
شده و در یک شبکه استاندارد پیادهسازی خواهند شد. از آنجا که پدیده ناپایداری ولتاژ بطور عمده
مربوط به ناحیههای بار بوده و به مشخصه بار بستگی دارد خواهیم دید که شاخصهای شین نسبت
به شاخصهای خط دارای کارکرد بهتری هستند و پاسخ بدست آمده از آنها از دقت بیشتری
دارای کارکرد بهتری هستند و ZL/Zs و VSLBI برخوردار است. از بین شاخصهای شین شاخص
در هردو حالت اغتشاش کوچک و بزرگ به خوبی جواب خواهند داد. هرچند این شاخص ها در
بارهای وابسته به ولتاژ به درستی کار نخواهند کرد اما پس از بهبود آنها توسط روشهای پیشنهادی
به پاسخهای خوبی خواهند رسید. البته دیگر شاخصهای شین بررسی شده نیز تا حدودی درست
جواب خواهند داد. اما در برخی حالتها ایرادهایی دیده میشود که باعث شده کارکرد کلی آنها
همچون دو شاخص پیشین نباشد.
در هر دو حالت اغتشاش کوچک و بزرگ جوابهای بهتری LQP از بین شاخصهای خط، شاخص
هم دقت خوبی Lmn و FVSI نسبت به دیگر شاخصها از خود نشان خواهند داد. البته شاخصهای
با مقداری خطا پاسخ خواهند داد.

و...

NikoFile