pdfانتخاب سطح مقطع مناسب برای هادی های مدار

اختصاصی از زد فایل pdfانتخاب سطح مقطع مناسب برای هادی های مدار دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

در این مجموعه شما می توانید به راحتی نمره سیم یا کابل را برای طراحی مدار برقی خود انتخاب کنید وهمان طور که می دانید انتخاب سطح مقطع مناسب برای هادی های مدار بسیار اهمیت دارد .

پاورپوینت آموزش کامل نیمه هادی ها و فیزیک الکترونیک در 113 اسلاید

اختصاصی از زد فایل پاورپوینت آموزش کامل نیمه هادی ها و فیزیک الکترونیک در 113 اسلاید دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

نیم‌رسانا یا نیمه‌هادی (به انگلیسی: Semiconductor) عنصر یا ماده‌ای است که در حالت عادی عایق باشد، ولی با افزودن مقداری ناخالصی قابلیّت هدایت الکتریکی پیدا کند. (منظور از ناخالصی عنصر یا عناصر دیگری‌ست غیر از عنصر اصلی یا پایه. مثلاً اگر عنصر پایه سلیسیوم باشد ناخالصی می‌تواند آلومنیوم یا فسفر باشد) نیمه‌رساناها در نوار ظرفیت خود چهار الکترون دارند. میزان مقاومت الکتریکی نیمه‌رساناها بین رساناها و نارساناها می‌باشد. از نیمه رساناها برای ساخت قطعاتی مانند دیود، ترانزیستور، تریستور، آی سی و ... استفاده می‌شود. ظهور نیمه رساناها در علم الکترونیک انقلاب عظیمی را در این علم ایجاد کرده که اختراع رایانه یکی از دستاوردهای این انقلاب است.

نیمه‌رساناها به دو نوع قسمت‌بندی می‌شوند.

1. نیمه‌رسانای ذاتی (خالص)
2. نیمه‌رسانای غیرذاتی (دارای ناخالصی)

در نیمه‌رسانای ذاتی تعداد حفره و الکترون برابر است، در صورتی که در نیمه‌رسانای غیر ذاتی چنین نیست. نیمه رسانای غیر ذاتی با آلاییدن نیمه‌رسانای چهار ظرفیتی با یک عنصر سه یا پنج ظرفیتی پدید می‌آید. نیمه‌رساناهای غیر ذاتی به دو دسته تقسیم می‌شوند.

1. نوع پی P یا Possitive یا گیرنده الکترون آزاد (پذیرنده) که در آن تعداد حفره‌ها بیشتر است.
2. نوع ان N یا Negative یا دارنده الکترون آزاد (دهنده) که در آن تعداد الکترون‌ها بیشتر است.

سر فصل ها:

نیمه هادی ها

نوار انرژی

منحنی هدایت جلمدها نسبت به دما

نوار انرژی عایق

نوار انرژی نیمرسانا

مقایسه نوار انرژی نیمرسانا و عایق

نوار انرژی فلزات

نیمرسانای مستقیم و نیمرسانای غیر مستقیم

حاملهای بار در نیمرسانا

الکترون ها و حفره ها

ماده ذاتی

تولید EHP

بازترکیب

ماده غیذاتی

فرآیند آلایش

نیمرسانای نوع N

نیمرسانای نوع P

حاملهای اکثریت و اقلیت

روابط حامل ها

اثر دما روی حامل ها

ماده غیرذاتی شامل هر دو نوع ناخالصی

تراز فرمی

جریان الکتریکی در فلزات

رسانایی ویژه نیمه هادی ذاتی

مولفه های جریان در نیمه هادی ها

جریان رانشی

جریان انتشاری

جریان کلی

روابط جریان

رابطه اینشتین

و...

ارتباط بین طیف خروجی و کاواک در لیزر نیمه هادی 117 ص - ورد

اختصاصی از زد فایل ارتباط بین طیف خروجی و کاواک در لیزر نیمه هادی 117 ص - ورد دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

 چکیده:

 ، ساختارهای مختلف لیزر نیمه هادی و خروجی آنها مورد بررسی قرار گرفته است و عوامل موثر بر این خروجی ها همچون جریان آستانه و تلفات اپتیکی بیان شده است. در نهایت با استفاده از طیف های دیود لیزری طول کاواک لیزر محاسبه شده است.

ساختار دیود لیزری از 5 لایه رونشستی توسط دستگاه LPE تهیه شده است که ضخامت لایة میانی یا لایة فعال برابر 05/0 میکرون می باشد. چگالی ناخالصی توسط دستگاه SIMS مورد بررسی قرار گرفته است که نشان می دهد چگالی ناخالصی در عرض لایه رونشستی کاملاً یکنواخت است و ضخامت لایه ها از 8 میکرون تا 05/0 میکرون به وسیله دستگاه AFM اندازه گیری شده است. شدت جریان آستانه در حدود A/cm2 70 برای تراشه ای به طول و عرض 200*300 میکرون محاسبه شده است. مدهای ظاهر شده در شدت جریان بالاتر از آستانه، Ith ، کاملاً مشهود است که نشان می دهد دیود ساخته شده پرتو لیزری از خود تابش می کند. در نهایت با استفاده از رابطه  طول کاواک برای طیف‌های به دست آمده محاسبه شده که مقدار 206 میکرون به دست آمده است که با مقدار تجربی 6% خطا وجود دارد.

مقاله در مورد آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور

اختصاصی از زد فایل مقاله در مورد آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

 تعداد صفحه36

بخشی از فهرست مطالب

نیمه هادی ها و ساختمان داخلی آنها

1.                      نیمه هادی نوع N وP 2.                      اتصال PN و تشکیل نیمه های دیود

3ـ1) لایه تهی

3ـ2) پتانسیل سد

3ـ3 ولتاژ شکست

3ـ4 منحنی دیود در بایاس مستقیم

3ـ8 دیود با ظرفیت متغییر(وراکتور)

3ـ7 ظرفیت دیود

3ـ9 دیود زنر

3ـ9ـ1 شکست بهمنی و شکست زنر

3ـ10خاصیت خازنی پیوند و دیودهای

وراکتور

مدارهای دیودی[1]

3-11عیب یابی

4)ساختمان نیمه هادی ترانزیستور

4ـ1 ترانزیستور بدون بایاس

نیمه هادی ها و ساختمان داخلی آنها

نیمه هادی ها عناصری هستند که از لحاظ هدایت ، ما بین هادی و عایق قرار دارند، و مدار آخر نیمه هادیها ، دارای 4 الکترون می‌باشد.

ژرمانیم و سیلیکون دو عنصری هستند که خاصیت نیمه هادی ها را دارا می‌باشند و به دلیل داشتن شرایط فیزیکی خوب ، برای ساخت نیمه هادی دیود ترانزیستور ، آی سی (IC ) و .... مورد استفاده قرار می‌گیرد.

ژرمانیم دارای عدد اتمی‌32 می‌باشد .

این نیمه هادی ، در سال 1886 توسط ونیکلر[1] کشف شد.

این نیمه هادی ، در سال 1810توسط گیلوساک[2] و تنارد[3] کشف شد. اتمهای نیمه هادی ژرمانیم و سیلیسیم به صورت یک بلور سه بعدی است که با قرار گرفتن بلورها در کنار یکدیگر ، شبکه کریستالی آنها پدید می‌آید .

اتم های ژرمانیم و سیلیسیم به دلیل نداشتن چهار الکترون در مدار خارجی خود تمایل به دریافت الکترون دارد تا مدار خود را کامل نماید. لذا بین اتم های نیمه هادی فوق ، پیوند اشتراکی برقرار می‌شود.

بر اثر انرژی گرمائی محیط اطراف نیمه هادی ، پیوند اشتراکی شکسته شده و الکترون آزاد می‌گردد. الکترون فوق و دیگر الکترون هائی که بر اثر انرژی گرمایی بوجود می‌آید در نیمه هادی وجود دارد و این الکترون ها به هیچ اتمی‌وابسته نیست.

د ر مقابل حرکت الکترون ها ، حرکت دیگری به نام جریان در حفره ها که دارای بار مثبت می‌باشند، وجود دارد. این حفره ها، بر اثر از دست دادن الکترون در پیوند بوجود می‌آید.

بر اثر شکسته شدن پیوندها و بو جود آمدن الکترون های آزاد و حفره ها ، در نیمه هادی دو جریان بوجود می‌آید.جریان اول حرکت الکترون که بر اثر جذب الکترون ها به سمت حفره ها به سمت الکترون ها بوجود خواهد آمد و جریان دوم حرکت حفره هاست که بر اثر جذب حفره ها به سمت الکترون ها بوجود می‌آید. در یک کریستال نیمه هادی، تعداد الکترونها و حفره ها با هم برابرند ولی حرکت الکترون ها و حفره ها عکس یکدیگر می‌باشند.

  1.                      نیمه هادی نوع N وP

از آنجایی که تعداد الکترونها و حفره های موجود  در کریستال ژرمانیم و سیلیسیم در دمای محیط کم است و جریان انتقالی کم می‌باشد، لذا به عناصر فوق ناخالصی اضافه می‌کنند.

هرگاه به عناصر نیمه هادی ، یک عنصر 5 ظرفیتی مانند آرسنیک یا آنتیوان تزریق[4] شود، چهار الکترون مدار آخر آرسنیک با چهار اتم مجاور سیلسیم یا ژرمانیم تشکیل پیوند اشتراکی داده و الکترون پنجم آن ، به صورت آزاد باقی می‌ماند.

بنابرین هر اتم  آرسنیک، یک الکترون اضافی تولید می‌کند، بدون اینکه حفره ای ایجاد شده باشد. نیمه هادی هایی که ناخالصی آن از اتم های پنج ظرفیتی باشد، نیمه هادی نوع N[5] نام دارد.

در نیمه هادی نوع N ، چون تعداد الکترون ها خیلی بیشتر از تعداد حفره هاست لذا عمل هدایت جریان را انجام می‌دهند . به حامل

طرح هادی شیرین اب

اختصاصی از زد فایل طرح هادی شیرین اب دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

طرح هادی روستای شیرین آبد گزارش اصلی + نقشه های و فایل های کد