دانلود پروژه ترانسفورماتور ولتاژ v.T یا P.T

اختصاصی از زد فایل دانلود پروژه ترانسفورماتور ولتاژ v.T یا P.T دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

همانطور که می دانید ولتاژهای بالاتر از v 600 را نمی توان بصورت مستقیم بوسیله دستگاه های اندازه گیری اندازه گرفت، بنابراین لازم است که ولتاژ را کاهش دهیم تا بتوان ولتاژ را اندازه گیری نموده و یا اینکه در رله های حفاظتی استفاده کرده ترانسفورماتور ولتاژ به همین منظور استفاده می شود. ترانسفورماتور ولتاژ از انواع مغناطیسی مطابق بشکل صفحه بعد دارای دو نوع سیم پیچ اولیه و ثانویه می باشد که برای ولتاژهای بین v 600 تا HV 132 استفاده می شود.

در این شکل مدار الکتریکی یک vt رانشان می دهد.

معمولا vt های فشار قوی بین خط و زمین قرار می گیرند یعنی ولتاژ فازی به آنها اعمال می شود بطور مثال در نتیجه باید مقدار امپدانس سیم پیچ اولیه خیلی بالا باشد و عایق بندی سیم پیچ ولتاژ بالاتر برود، زیادتر و مشکل تر خواهد بود. برای همین منظور است که در ولتاژ خیلی بالا از c,v.t استفاده می شود.

پس بطور مثال در شکل بالا به اولیه ولتاژ اعمال شود و در ثانویه که مقدار دور آن خیلی کم است ولتاژ ولت روی هرکر اعمال خواهد شد (1a 1n) که خروجی vt را معمولا بصورت a سر کلاف و n ته کلاف مشخص می نمایند. که شمارش تعداد کرهای یک vt با اعدادی است که در سمت چپ حروف گذاشته می شود. در شکل بالا vt دارای دو کر می باشد.

حال ولتاژ بین کر اولvt فاز R با کر اول vt فاز s 110 ولت می باشد که خروجی vt را برای سه فاز به صورت ستاره اتصال دهند و به مصرف می رسانند. کلید مصرف کننده باید به شکل موازی با Vt قرار گیرند. و برای حفاظت Vt (خروجی) در ابتدای خروج سیم پیچ ثانویه از vt یک عدد فیوز قرار می دهند.

در ولتاژهای خیلی بالا، اقتصادی است که از c.v.t استفاده شود. چون در vt عایق بندی و ایزوله کردن سیم پیچ نسبت به پایه استراکچر مسئله عمده و پر خرجی خواهد بود.

ولی در cvb توسط یک سری خازن که در مدار قرار می دهند. ولتاژ را پایین می آورند و ولتاژ کم را به یک سیم پیچ اولیه داره (حدود kv 10) و از ثانویه 110 ولت خروجی گرفته می شود. مدار یک cvt در صفحه بعد آمده است. دو مجموعه خازن C1 و C2 در مدار دیده می شود، مجموعه c1 ظرفیت آن پایین و مجموعه c2 ظرفیت تنش بالا می باشد، در نتیجه me1 بالا و ane2 خیلی پایین خواهد بود. و به همین نسبت ولتاژ فاز با زمینی که به cvt اعمال می شود به نسبت مقاومت ها افت می نماید و از دو سر مجموعه خازن c2 (ولتاژ کم) گرفته می شود و به سیم پیچ اولیه vt وارد می شود.

18

پاور پوینت استاندارد ترانسفورماتورهای ولتاژ -نوع رزینی خود ایستا

اختصاصی از زد فایل پاور پوینت استاندارد ترانسفورماتورهای ولتاژ -نوع رزینی خود ایستا دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

پاور پوینت استاندارد ترانسفورماتورهای ولتاژ -نوع رزینی خود ایستا

اثر اضافه ولتاژ های ناشی از صاعقه

اختصاصی از زد فایل اثر اضافه ولتاژ های ناشی از صاعقه دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

قالب : word

تعداد صفحه : 78

ویژگی : پایانامه برق

دانلود مقاله ISI مقیاس نانو، ولتاژ محور برنامه از مواد فعال زیستی به داخل سلول های با توپوگرافی سازمان یافته

اختصاصی از زد فایل دانلود مقاله ISI مقیاس نانو، ولتاژ محور برنامه از مواد فعال زیستی به داخل سلول های با توپوگرافی سازمان یافته دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

موضوع فارسی :مقیاس نانو، ولتاژ محور برنامه از مواد فعال زیستی به داخل سلول های
با توپوگرافی سازمان یافته

موضوع انگلیسی :

تعداد صفحه :

فرمت فایل :PDF

سال انتشار :

زبان مقاله : انگلیسی

با اسکن یون میکروسکوپ هدایت (SICM)، یک تکنیک پروب اسکن بدون تماس، این امکان وجود هر دو است به
به دست آوردن اطلاعات در مورد توپوگرافی سطح سلول های زنده و به درخواست مولکول بر روی ساختارهای نانومقیاس خاص.
تکنیک بنابراین به طور گسترده ای استفاده می شود به درخواست ترکیبات شیمیایی و به مطالعه خواص مولکول در سطح
انواع سلول های مختلف. سلول های عضله قلب، به عنوان مثال، قلب، دارای یک بسیار استادانه درست شده، توپوگرافی سطح منحصر به فرد
از جمله عرضی-توبول (T-توبول) دهانه منجر به یک سیستم داخلی همراه است که به طور انحصاری بنادر پروتئین های بسیاری لازم
برای عملکرد فیزیولوژیکی سلول است. در اینجا، ما ایزوپروتونول به این دهانه سطح با تغییر کاربردی اعمال
ولتاژ در nanopipette بیمار. برای تعیین درجه دقت برنامه ما ما استفاده می شود محدود عنصر شبیه سازی
به منظور بررسی نحوه نمایش نمایه غلظت بیش از سطح سلول متفاوت است. ما برای اولین بار اسکن توپوگرافی قلب به دست آمده
با استفاده از SICM و سپس تعیین تحرک الکتروفورتیک از ایزوپروتونول در یک محلول یونی بالا می شود؟ 7؟ 10. 9 M2 / V است.
این شبیه سازی ها نشان داد که تحویل به باز کردن T-توبول بسیار به زمینه ای Z-شیار محدود، و به خصوص به
اولین باز T-توبول، که در آن غلظت است ~ 6.5 برابر بیشتر نسبت به روی یک سطح صاف در زیر تحویل در همان
تنظیمات. تحویل به تاج، به جای باز کردن T-توبول، منجر به یک غلظت بسیار پایین تر، با تاکید بر اهمیت
توپوگرافی در تحویل آگونیست. در نتیجه، SICM، بر خلاف روش های دیگر، می تواند قابل اعتماد ارائه مقادیر دقیق
ترکیبات به T-لوله از قلب

پایان نامه بررسی و امکان سنجی در طراحی ترانسفورماتورهای ولتاژ نوری و مقایسه آن با ترانسهای معمولی

اختصاصی از زد فایل پایان نامه بررسی و امکان سنجی در طراحی ترانسفورماتورهای ولتاژ نوری و مقایسه آن با ترانسهای معمولی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

این فایل در قالب ورد وقابل ویرایش در 180 صفحه می باشد.
مقدمه

       انرژی الکتریکی به وسیله نیروگاههای حرارتی که معمولاً در کنار ذخایر بزرگ ایجاد می شوند و نیروگاههای آبی که در نواحی دارای منابع آبی قابل ملاحظه احداث می شوند ، تولید می شود . از این رو به منظور انتقال آن به نواحی صنعتی که ممکن است صدها و هزاران کیلومتر دورتر از نیروگاه باشد ، خطوط انتقال زیادی بین نیروگاهها و مصرف کننده ها لازم است .

       در هنگام جاری شدن جریان در طول یک خط انتقال مقداری از قدرت انتقالی به صورت حرارت در هادیهای خط انتقال تلف می شود . این تلفات با افزایش جریان و مقاومت خط افزایش می یابد .تلاش برای کاهش تلفات تنها از طریق کاهش مقاومت ، به صرفه اقتصادی نیست زیرا لازم است افزایش اساسی در سطح مقطع هادیها داده شود و این مستلزم مصرف مقدار زیادی فلزات غیر آهنی است .

       ترانسفورماتور برای کاهش توان تلف شده و مصرف فلزات غیر آهنی بکار می رود . ترانسفورماتور در حالیکه توان انتقالی را تغییر نمی دهد با افزایش ولتاژ ، جریان و تلفاتی که متناسب با توان دوم جریان است را با شیب زیاد کاهش می دهد .

       در ابتدای خط انتقال قدرت ، ولتاژ توسط ترانسفورماتور افزاینده افزایش می یابد و در انتهای خط انتقال توسط ترانسفورماتور کاهنده به مقادیر مناسب برای مصرف کننده ها پایین آورده می شود و به وسیله ترانسفورماتور های توزیع پخش می شود .

       امروزه ترانسفورماتور های قدرت ، در مهندسی قدرت نقش اول را بازی می کنند . به عبارت دیگر ترانسفورماتور ها در تغذیه شبکه های قدرت که به منظور انتقال توان در فواصل زیاد به کار گرفته می شوند و توان را بین مصرف کننده ها توزیع می کنند ، ولتاژ را افزایش یا کاهش می دهند . به علاوه ترانسفورماتور های قدرت به خاطر ظرفیت و ولتاژ کاری بالایی که دارند مورد توجه قرار می گیرند .

 مقدمه

فصل اول
۱-۲ مقدمه

فصل دوم
۲-۲- معرفی ترانسفورماتورهای اندازه گیری
۲-۳  ترانسفورماتورهای ولتاژ و انواع آن
۲-۳-۱  ترانسفور ماتور ولتاژ القایی
۲-۳-۲  ترانسفورماتور ولتاژ خازنی (CVT)
۲-۴ مسایل جنبی ترانسفورماتورهای ولتاژ
۲-۴-۱ ضریب ولتاژ
۲-۴-۲ آلودگی
۲-۴-۳  ظرفیت پراکندگی

فصل سوم
۳-۱ مقدمه
۳-۲ ماهیت نور
۳-۳ بررسی نور پلاریز ه شده
۳-۳-۱  نور پلاریزه شده خطی
۳-۳-۲  نورپلاریزه شده دایره ای
۳-۳-۳  نورپلاریزه شده بیضوی
۳-۴ پدیده دو شکستی
۳-۵  فعالیت نوری
۳-۶ اثرهای نوری القائی
۳-۶-۱ اثر فارادی
۳-۶-۲  اثر کر
۳-۶-۳  اثر پاکلز
۳-۷  معرفی المانهای مهم نوری
۳-۷- ۱ منابع نور
۳-۷-۲ تار نوری
۳-۷-۳  قطبشگر
۳-۷-۴  تیغه ربع موج و نیمه موج
۳-۷-۵  آشکار سازی نور

فصل چهارم: بررسی ترانس های ولتاژ نوری
۴-۱ مقدمه
۴-۲  OPT براساس اثر کر
۴-۳ OPT  بر اساس اثر پاکلز
۴-۳- ۱  اصول کار OPT
۴-۳-۲  سیستم مدولاسیون شدت نور در OPT
۴-۳-۳  مدار پردازش سیگنال در OPT
۴-۲-۴  مواد سازنده سلول پاکلز
۴-۴  مشخصات OPT
۴-۴-۱  مشخصه خروجی OPT
۴-۴-۲ مشخصه حرارتی OPT
۴-۵  مسئل عملی OPT
۴-۶  بررسی مدار پردازش سیگنال در OCT
۴-۶- ۱ مدار پردازش سیگنال بر اساس روش AC/DC
۴-۶-۲  مدار پردازش سیگنال به روش +/-
۴-۶-۳  مدار پردازش سیگنال با استفاده از متوسط شدت نور

فصل پنجم
۵-۱ مقدمه
۵-۲- مزایا
۵-۳- تحلیل نوع تجاری
۵-۳-۱ هزینه‌های سرمایه پست و هزینه‌های ساخت
۵-۳-۲  بازده کارآیی عملکرد
۵-۳-۳  صرفه‌جویی‌های نگهداری و تعمیرات
نسبت دور قابل انتخاب خریدار منجر می‌شود به
۵-۳-۴  صرفه‌جویی‌های مصرف دوره نهایی
۵-۳-۵  مثال عملکرد IPP، MW600 در KV230
۵-۴  نتیجه‌گیری

فصل ششم
۶-۱ مقدمه
۶-۲  مشکلات و معایب ترانسفورماتورهای اندازه گیری معمولی
۶-۲-۱  احتمال انفجار
۶-۲-۲  اشباع شدن هسته ترانسفورماتور
۶-۲-۳ اثر فرورزونانس
۶-۲-۳-۱  ترانسفورماتورهای ولتاژ خازنی
۶-۲-۳-۲ ترانسفورماتورهای جریان و ولتاژ القایی
۶-۲-۴  شار پس ماند
۶-۲-۵  وزن و حجم زیاد
۶-۲-۶ محدود بودن دقت آنها
۶-۳  مزایای ترانسفورماتورهای اندازه گیری نوری
۶-۳-۱ عدم احتمال انفجار
۶-۳-۲  عدم ایجاد پدیده فرورزونانس در آنها
۶-۳-۳ بدون اثر شار پس ماند
۶-۳-۴  وزن و حجم کم
۶-۳-۵ داشتن دقت بالا
۶-۳-۶  داشتن سرعت پاسخ دهی بالا
۶-۴  کاربردهای عملی ترانسفورماتورهای اندازه گیری نوری
۶-۵ نتیجه گیری
۶-۶ پیشنهادات

فصل هفتم
۷-۱ مبدل ولتاژ نوری KV 230 توسط سنسور نوری پخش میدان الکتریکی
۷-۱-۱ مقدمه
۷-۱-۲ طرح OVT
۷-۱-۳  برپایی آزمایش
۷-۲ مبدل‌های ولتاژ نوری بدون   باند پهن ۱۳۸ کیلوولت و ۳۴۵ کیلوولت
۷-۲-۱ مقدمه:
۷-۲-۲  اصول طرح و کارکرد
۷-۲-۳  نتایج تست‌های آزمایشگاهی ولتاژ بالا:
۷-۲-۳-۱ بازدهی در مورد دقت
B- عایق‌کاری
۷-۳ ترانس اندازه‌گیری ولتاژ فشار قوی نوری توسط تداخل نسبی نور سفید
۷-۳-۱ مقدمه
۷-۳-۲  سنسور پاکلز فشار قوی و ترانسفورماتور ولتاژ نوری بر پایه سیستم WLI
الف- مدولاتورهای الکترونوری در تنظیمات طولی
ب- سنسورهای پاکلز ولتاژ بالا بر اساس مدولاسیون طولی:
ج – تکنیک WLI اعمالی برای سنسورهای پاکلز ولتاژ بالا جهت ساخت یک ترانسفورماتور نوری ولتاژ بالا :
د- ترانسفورماتور ولتاژ بالا نوری با استفاده از تنظیمات WLI
۷-۴  نتایج تجربی
۷-۵ نتیجه‌گری

ضمیمه
تحلیل ماتریس پلاریزاسیون نور
۱ـ بردار جونز
۲ـ پارامترهای استوکس
۳- ماتریسهای جونز
۴- ماتریسهای مولر
۵ـ معرفی ماتریسهای فارادی، کروپاکلز
ضمیمه ۲: جدول استاندارد ترانسفور ماتور ولتاژ