دانلود تحقیق نانوروبان های گرافینی آرمیچر

اختصاصی از زد فایل دانلود تحقیق نانوروبان های گرافینی آرمیچر دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

گرافین چیست ؟
 
ساختار شبکه شش ضلعی گرافین
گرافین نامِ یکی از آلوتروپ‌هایِ کربن است.
در گرافیت (یکی دیگر از آلوتروپ‌هایِ کربن)، هر کدام از اتم‌هایِ چهارظرفیتیِ کربن، با سه پیوندِ کووالانسی به سه اتمِ کربنِ دیگر متصل شده‌اند و یک شبکهٔ گسترده را تشکیل داده‌اند. این لایه خود بر رویِ لایه‌ای کاملاً مشابه قرار گرفته‌است و به این ترتیب، چهارمین الکترونِ ظرفیت نیز یک پیوندِ شیمیایی داده‌است، اما این پیوندِ این الکترونِ چهارم، از نوعِ پیوندِ واندروالسی است که پیوندی ضعیف است. به همین دلیل لایه‌هایِ گرافیت به راحتی بر رویِ هم سر می‌خورند و می‌توانند در نوکِ مداد به کار بروند. گرافین ماده‌ای است که در آن تنها یکی از این لایه‌هایِ گرافیت وجود دارد و به عبارتی چهارمین الکترونِ پیوندیِ کربن، به عنوان الکترونِ آزاد باقی مانده‌است.
هر چند نخستین بار در سال ۱۹۴۷ فیلیپ والاس دربارهٔ گرافین نوشت و سپس از آن زمان تلاش‌هایِ زیادی برایِ ساختِ آن صورت گرفته بود اما قضیه‌ای به نامِ قضیهٔ مرمین-واگنر در مکانیکِ آماری و نظریهٔ میدان‌هایِ کوانتومی وجود داشت که ساختِ یک مادهٔ دوبعدی را غیرممکن و چنین ماده‌ای را غیرپایدار می‌دانست. اما به هر حال در سال ۲۰۰۴، آندره گایم و کنستانتین نووسلف، از دانشگاه منچستر موفق به ساختِ این ماده شده و نشان دادند که قضیهٔ مرمین-واگنر نمی‌تواند کاملاً درست باشد. جایزهٔ نوبلِ فیزیکِ ۲۰۱۰ نیز به خاطرِ ساختِ ماده‌ای دوبعدی به این دو دانشمند تعلق گرفت.
معرفی
گرافین ساختار دو بعدی از یک لایه منفرد شبکه لانه زنبوری کربنی می‌باشد. گرافین به علت داشتن خواص فوق العاده در رسانندگی الکتریکی و رسانندگی گرمایی، چگالی بالا و تحرک پذیری حامل‌های بار، رسانندگی اپتیکی[۲] و خواص مکانیکی به ماده‌ای منحصربفرد تبدیل شده است. این سامانه جدید حالت جامد به واسطه این خواص فوق العاده به عنوان کاندید بسیار مناسب برای جایگزینی سیلیکان در نسل بعدی قطعه‌های فوتونیکی و الکترونیکی در نظر گرفته شده است و از این رو توجه کم سابقه‌ای را در تحقیقات بنیادی و کاربردی به خود جلب کرده است. طول پیوند کربن ـ کربن در گرافین در حدود ۰٫۱۴۲ نانومتر است. ساختار زیر بنایی برای ساخت نانو ساختارهای کربنی، تک لایه گرافین است که اگر بر روی هم قرار بگیرند توده سه بعدی گرافیت را تشکیل می‌دهند که بر هم کنش بین این صفحات از نوع واندروالسی با فاصلهٔ بین صفحه‌ای ۰٫۳۳۵ نانومتر می‌باشد. اگر تک لایه گرافیتی حول محوری لوله شود نانو لوله کربنی شبه یک بعدی واگر به صورت کروی پیچانده شود فلورین شبه صفر بعدی را شکل می‌دهد. لایه‌های گرافینی از ۵ تا ۱۰ لایه را به نام گرافین کم لایه و بین ۲۰ تا ۳۰ لایه را به نام گرافین چند لایه، گرافین ضخیم و یا نانو بلورهای نازک گرافیتی، می‌نامند. گرافین خالص تک لایه ازخود خواص شبه فلزی نشان می‌دهد.[۴] درگرافین طیف حامل‌ها شبیه به طیف فرمیون‌های دیراک بدون جرم می‌باشد و به علاوه کوانتش ترازهای لاندائو، اثر کوانتومی هال صحیح و کسری، در این سامانه باعث شده است که توجه بسیاری از فیزیکدان‌ها از حوزه‌های مختلف فیزیک به آن جلب شود.[۵] علاوه بر این‌ها خصوصیات سامانه‌های گرافین بطور مستقیم به تعداد لایه‌های گرافین موجود در سامانهٔ مورد نظر بستگی دارد. به عنوان مثال، گذردهی نوری برای گرافین تک لایه تقریباً برابر با ۹۷ درصد و مقاومت صفحهٔ آن ۲/۲ می‌باشد وگذردهی نوری برای گرافین‌های دو، سه و چهار لایه به ترتیب ۹۵، ۹۲ و ۸۹ درصد با مقاومت صفحه به ترتیب ۱، ۷۰۰ و ۴۰۰ است که نشان دهندهٔ آن است که با افزایش تعداد صفحات گرافین گذردهی نوری سامانه کم می‌شود.[۶] از سوی دیگر چگالی حامل بار در گرافین از مر تبه ۱۰۱۳ بر سانتی متر مربع با تحرک پذیری تقریباً 15000 cm۲/V.s و[۷] با مقاومتی از مرتبه ۶-۱۰ اهم-سانتی‌متراست که به نحو مطلوبی قابل مقایسه با ترانزیستورهای اثر میدانی (FET) می‌باشد. خواص منحصربفرد گرافین آن را کاندیدهای بسیار مطلوبی برای طراحی نسل بعدی قطعه‌های الکترونیکی و نوری همچون ترانزیستورهای بالستیک، ساطع کننده‌های میدان، عناصر مدارهای مجتمع، الکترودهای رسانای شفاف، و حسگرها قرار داده است. همچنین، رسانندگی الکتریکی و گذردهی نوری بالای گرافین، آن را به عنوان کاندیدی مناسب برای الکترودهای رسانای شفاف، که مورد استفاده در صفحه‌های لمسی و نمایشگرهای بلوری مایع و سلول‌های فوتوالکتریک و به علاوه دیودهای آلی ساطع کننده نور (OLED) معرفی می‌کند. بکار گیری بسیاری از این سامانه‌های اشاره شده منوط به داشتن تک لایه گرافینی پایدار بر روی زیر لایه مناسب با گاف انرژی قابل کنترل می‌باشند که این موضوع خود با چالش جدی روبروست.
روشهای ساخت گرافین
امروزه روش‌های بسیار متنوعی برای ساخت گرافین بکار برده می‌شود که از متداول‌ترین آنها می‌توان به روش‌های لایه برداری مکانیکی، لایه برداری شیمیایی، سنتزشیمیایی و رسوب بخار شیمیایی (CVD) را نام برد. برخی روش‌های دیگری همانند شکافتن نانو لوله‌های کربنی[۸] و ساخت باامواج ماکرویو[۹] نیز اخیراً بکاربرده شده‌اند. یک نمای کلی از روش‌های ساخت گرافین در زیر آمده است:
 

شامل 20 صفحه word

دانلود مقاله نانوروبان های گرافینی آرمیچر

اختصاصی از زد فایل دانلود مقاله نانوروبان های گرافینی آرمیچر دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

گرافین نامِ یکی از آلوتروپ‌هایِ کربن است.

در گرافیت (یکی دیگر از آلوتروپ‌هایِ کربن)، هر کدام از اتم‌هایِ چهارظرفیتیِ کربن، با سه پیوندِ کووالانسی به سه اتمِ کربنِ دیگر متصل شده‌اند و یک شبکهٔ گسترده را تشکیل داده‌اند. این لایه خود بر رویِ لایه‌ای کاملاً مشابه قرار گرفته‌است و به این ترتیب، چهارمین الکترونِ ظرفیت نیز یک پیوندِ شیمیایی داده‌است، اما این پیوندِ این الکترونِ چهارم، از نوعِ پیوندِ واندروالسی است که پیوندی ضعیف است. به همین دلیل لایه‌هایِ گرافیت به راحتی بر رویِ هم سر می‌خورند و می‌توانند در نوکِ مداد به کار بروند. گرافین ماده‌ای است که در آن تنها یکی از این لایه‌هایِ گرافیت وجود دارد و به عبارتی چهارمین الکترونِ پیوندیِ کربن، به عنوان الکترونِ آزاد باقی مانده‌است.

هر چند نخستین بار در سال ۱۹۴۷ فیلیپ والاس دربارهٔ گرافین نوشت و سپس از آن زمان تلاش‌هایِ زیادی برایِ ساختِ آن صورت گرفته بود اما قضیه‌ای به نامِ قضیهٔ مرمین-واگنر در مکانیکِ آماری و نظریهٔ میدان‌هایِ کوانتومی وجود داشت که ساختِ یک مادهٔ دوبعدی را غیرممکن و چنین ماده‌ای را غیرپایدار می‌دانست. اما به هر حال در سال ۲۰۰۴، آندره گایم و کنستانتین نووسلف، از دانشگاه منچستر موفق به ساختِ این ماده شده و نشان دادند که قضیهٔ مرمین-واگنر نمی‌تواند کاملاً درست باشد. جایزهٔ نوبلِ فیزیکِ ۲۰۱۰ نیز به خاطرِ ساختِ ماده‌ای دوبعدی به این دو دانشمند تعلق گرفت.

معرفی

گرافین ساختار دو بعدی از یک لایه منفرد شبکه لانه زنبوری کربنی می‌باشد. گرافین به علت داشتن خواص فوق العاده در رسانندگی الکتریکی و رسانندگی گرمایی، چگالی بالا و تحرک پذیری حامل‌های بار، رسانندگی اپتیکی[۲] و خواص مکانیکی به ماده‌ای منحصربفرد تبدیل شده است. این سامانه جدید حالت جامد به واسطه این خواص فوق العاده به عنوان کاندید بسیار مناسب برای جایگزینی سیلیکان در نسل بعدی قطعه‌های فوتونیکی و الکترونیکی در نظر گرفته شده است و از این رو توجه کم سابقه‌ای را در تحقیقات بنیادی و کاربردی به خود جلب کرده است. طول پیوند کربن ـ کربن در گرافین در حدود ۰٫۱۴۲ نانومتر است. ساختار زیر بنایی برای ساخت نانو ساختارهای کربنی، تک لایه گرافین است که اگر بر روی هم قرار بگیرند توده سه بعدی گرافیت را تشکیل می‌دهند که بر هم کنش بین این صفحات از نوع واندروالسی با فاصلهٔ بین صفحه‌ای ۰٫۳۳۵ نانومتر می‌باشد. اگر تک لایه گرافیتی حول محوری لوله شود نانو لوله کربنی شبه یک بعدی واگر به صورت کروی پیچانده شود فلورین شبه صفر بعدی را شکل می‌دهد. لایه‌های گرافینی از ۵ تا ۱۰ لایه را به نام گرافین کم لایه و بین ۲۰ تا ۳۰ لایه را به نام گرافین چند لایه، گرافین ضخیم و یا نانو بلورهای نازک گرافیتی، می‌نامند. گرافین خالص تک لایه ازخود خواص شبه فلزی نشان می‌دهد.[۴] درگرافین طیف حامل‌ها شبیه به طیف فرمیون‌های دیراک بدون جرم می‌باشد و به علاوه کوانتش ترازهای لاندائو، اثر کوانتومی هال صحیح و کسری، در این سامانه باعث شده است که توجه بسیاری از فیزیکدان‌ها از حوزه‌های مختلف فیزیک به آن جلب شود.[۵] علاوه بر این‌ها خصوصیات سامانه‌های گرافین بطور مستقیم به تعداد لایه‌های گرافین موجود در سامانهٔ مورد نظر بستگی دارد. به عنوان مثال، گذردهی نوری برای گرافین تک لایه تقریباً برابر با ۹۷ درصد و مقاومت صفحهٔ آن ۲/۲ می‌باشد وگذردهی نوری برای گرافین‌های دو، سه و چهار لایه به ترتیب ۹۵، ۹۲ و ۸۹ درصد با مقاومت صفحه به ترتیب ۱، ۷۰۰ و ۴۰۰ است که نشان دهندهٔ آن است که با افزایش تعداد صفحات گرافین گذردهی نوری سامانه کم می‌شود.[۶] از سوی دیگر چگالی حامل بار در گرافین از مر تبه ۱۰۱۳ بر سانتی متر مربع با تحرک پذیری تقریباً 15000 cm۲/V.s و[۷] با مقاومتی از مرتبه ۶-۱۰ اهم-سانتی‌متراست که به نحو مطلوبی قابل مقایسه با ترانزیستورهای اثر میدانی (FET) می‌باشد. خواص منحصربفرد گرافین آن را کاندیدهای بسیار مطلوبی برای طراحی نسل بعدی قطعه‌های الکترونیکی و نوری همچون ترانزیستورهای بالستیک، ساطع کننده‌های میدان، عناصر مدارهای مجتمع، الکترودهای رسانای شفاف، و حسگرها قرار داده است. همچنین، رسانندگی الکتریکی و گذردهی نوری بالای گرافین، آن را به عنوان کاندیدی مناسب برای الکترودهای رسانای شفاف، که مورد استفاده در صفحه‌های لمسی و نمایشگرهای بلوری مایع و سلول‌های فوتوالکتریک و به علاوه دیودهای آلی ساطع کننده نور (OLED) معرفی می‌کند. بکار گیری بسیاری از این سامانه‌های اشاره شده منوط به داشتن تک لایه گرافینی پایدار بر روی زیر لایه مناسب با گاف انرژی قابل کنترل می‌باشند که این موضوع خود با چالش جدی روبروست.

شامل 10 صفحه فایل word قابل ویرایش

تحقیق در مورد عکس العمل عرضی و طولی آرمیچر

اختصاصی از زد فایل تحقیق در مورد عکس العمل عرضی و طولی آرمیچر دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*
فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)
تعداد صفحه: 8
از زمانهای بسیار قدیم بشر با آهن ربا های طبیعی آشنا بوده ، نیروهای جاذبه و دافعه بین قطعات مختلف این آهن ربا ها و نیز بین آنها و سایر قطعات آهنی را می شناخته است . اما تا حدود 200 سال قبل تحلیل صحیح و دقیقی از رفتار اجسام مغناطیسی ارائه نشده بود و به همین دلیل استفاده چندانی از این پدیده انجام نمی شد . در سال 1819 میلادی یک دانشمند دانمارکی به نام اورستد متوجه شد هنگام عبور جریان برق از یک سیم ، چنانچه در مجاورت آن قطب نمایی قرار دهیم ، عقربه قطب نما ( که از جنس آهن ربای طبیعی است ) منحرف می گردد . این تجربه نشان داد که جریان برق نیز مانن آهن ربای طبیعی در اطراف خود یک میدان مغناطیسی ایجاد می کند که شدت آن بستگی به شدت جریان دارد عکس العمل آرمیچر: عواملی که در حالت بارداری دینامو باعث تغییر نیروی الکتروموتوری آرمیچر می باشد عکس العمل آرمیچر نامیده می شود و مهمترین آنها به شرح زیر است: 1- عکس العمل القا شونده که باعث افت ولتاژ در مقاومت سیم پیچ آرمیچر می شود در حالت ژنراتور V=E-RI و در حالت موتور V=E+RI می باشد 0E نیروی الکتروموتوری تولید شده و V ولتاژ دو سر آرمیچر و RI افت ولتاژ آرمیچر می باشد0 2- عکس العمل مغناطیسی که باعث نیروی الکتروموتوری و فوران می گردد و به دو دسته تقسیم می شود0 الف: عکس العمل عرضی ب: عکس العمل طولی الف: عکس العمل عرضی میدان مغناطیسی یک ماشین ، توسط سیم پیچ تحریک تامین می گردد 0 در یک ماشین باردار ، جریانی که از سیم پیچ های آرمیچر می گذرد نیز تولید میدان مغناطیسی می نماید و این میدان روی میدان اصلی اثر نموده و با عث ایجاد خطوط میدان تحریک می شود . آرمیچر که از سیم پیچ های آن جریان می گذرد میدانی به وجود می آورد که محور آن بر محور جاروبکها منطبق است0 وجود میدان آرمیچر سبب ایجاد فوران مغناطیسی تحت قطبها می شود و در یک طرف قطب ،آنرا تقویت و در طرف دیگر آن را تضعیف می کند . اگر ماشین اشباع نباشد عکس العمی عرضی آرمیچر در e.m.f. آرمیچر تغییر نمی دهد ولی در حالت اشباع ماشین e.m.f. ارمیچر کاهش می یابد. در حالت بارداری ، جریان میدان تحریک و جریان آرمیچر هر دو وجود دارند و m.m.f. های منتجه این دو جریان تولید موج دانسیته فوران مینماید . خط خنثای الکتریکی یا منطقه ای که دانسیته فوران در آن صفر است در حالت ژنراتور از خط خنثای هندسی ،در جهت چرخش و در حالت موتور در جهت عکس چرخش تغییر مکان می دهد . مولفه فوران مغناطیسی در محور خنثی باعث اشکالات کموتاسیون میشود m.m.f. آرمیچر تولید عکس العمل آرمیچر می نماید . ضمن مهمترین مولفه (قسمت) از این m.m.f. در محور خنثی (محور ربعی ) واقع است. مدار مغناطیسی اشباع نشده: در این حالت قابلیّت نفوذ مغناطیسیاجرا مختلف مدار مغناطیسی را می توان ثابت فرض نمود و در نتیجه دانسیته فوران منتجه در هر نقطه مساوی حاصل جمع جبری دانسیته های فوران آرمیچر و میدان تحریک می باشد .و در اثر تغییر شکل اندوکسیون منتجه محور خنثی در جهت گردش آرمیچر تغییر مکان می دهد0 جاروبکها را باید در جهت گردش آرمیچر تغییر مکان داد،چون ومدار مغناطیسی به حال اشباع نرسیده است تقویت دانسیته فوران در یک گوشه از قطب و تضعیف آن در گوشه دیگر ،ؤ یکدیگر را جبران می نماید و فوران کلی تغییر نمی کند اما به علت تغییر شکل خطوط قوای مغناطیسی و طولانی شدن راه آنها مقاومت مغناطیسی افزایش می یابد و چون نیروی محرکه مغناطیسی ثابت است لذا فوران مفید کاهش می یابد0 مدار مغناطیسی اشباع شده: در این حالت نمی توان دانسیته فوران میدان اصلی و عکس العمل آرمیچر را جمع جبری نمود و باید نیروهای محرکه مغناطیسی را ترکیب نموده و از روی منتجه آنها اندوکسیون را در نقطه مطلوب تعیین نمود0 با رعایت این نکته منحنی نمایش دانسیته فوران در سطح آرمیچر بر حسب نیروی محرکه مغناطیسی کلی در شکل (1-1) نشان داده شده است 0فرض می شود Boدانسیته فوران در حالت بی باری مولد و Fo نیروی محرکه مغناطیسی باشد که آنرا تولید می نماید0 شکل شماره 1-1 تغییرات نیروی محرکه مغناطیسی ایجاد شده توسط جریانی که هنگام بارداری مولد از سیمهای آرمیچر آن می گذرد زیر قطبها خطی است و بعلاوه در روی محور قطبی ( محوری که از قطب می گذرد) صفر و درآن گوشه ‎ی قطب که آرمیچر از آن دور می شود مثبت و در آن گوشه‏ی قطب که القا شونده به آن نزدیک می شود منفی است، در نقطه ای به فاصله X از محور قطبی ، شکل (2-1) ، این نیروی محرکه مغناطیسی را میتوان به صورت F1=Kx نوشت 0K ضریبی ثابت است که تابع جریان القا شونده میباشد 0 نیروی مغناطیسی منتجه برابر است با:F=Fo+F1= Fo+Kx شکل 2-1 با مقایسه فورانهای حالت بی باری و بار داری مشاهده می شود که کاهش فوران در گوشه ورودی و افزایش آن در گوشه خروجی می باشد.افزایش فوران در گوشه خروجی نمی تواند کاهش فوران را در گوشه ورودی جبران کند و لذا از فوران مفید و در نتیجه نیروی الکتروموتوری القا شده در مولد کاسته می شود 0 طرق مختلف جبران عکس العمل عرضی آرمیچر : تعبیه شیارها در کفشکهای قطبی : با ایجادچند شیار در کفشکهای قطبی فاصله هوایی در شیار مسیر فوران عکسالعمل آرمیچر به وجود می آورند