شبیه سازی نانوسیم سیلیکون (Silicon Nanowire) و محاسبه مدول یانگ (Young's Modulus) آن با نرم افزار لمپس (LAMMPS)

اختصاصی از زد فایل شبیه سازی نانوسیم سیلیکون (Silicon Nanowire) و محاسبه مدول یانگ (Young's Modulus) آن با نرم افزار لمپس (LAMMPS) دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

(آموزش lammps) در این آموزش با استفاده از نرم افزار لمپس (LAMMPS) یک نانوسیم سیلیکونی (Silicon Nanowire) با طول ۱۰۰ آنگسترم و شعاع ۱۰ آنگسترم شبیه سازی شده است. پتانسیل بین اتمی اتمهای سیلیکون با stillinger weber مدل شده است. این پتانسیل نسبت به پتانسیل ترسوف دارای محاسبات کمتری می باشد و در نتیجه سرعت شبیه سازی بالا می رود. در ادامه شبیه سازی سعی کرده ایم به نانوسیم مورد نظر یک تنش وارد کنیم و سپس کرنش را حساب کنیم. در نهایت با استفاده از منحنی تنش-کرنش مدول یانگ (Young's Modulus) را حساب کنیم. تمامی فایلهای مرتبط همراه آموزش تقدیم خواهد شد. مدت آموزش ۵۸ دقیقه و با کیفیت فیلم HD می باشد. تاریخ انتشار ۹۵/۱/۲۹

سمینار کارشناسی ارشد مهندسی نساجی چرم سازی و مزیت کاربرد سیلیکون ها در تکمیل چرم

اختصاصی از زد فایل سمینار کارشناسی ارشد مهندسی نساجی چرم سازی و مزیت کاربرد سیلیکون ها در تکمیل چرم دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود سمینار کارشناسی ارشد مهندسی نساجی  چرم سازی و مزیت کاربرد سیلیکون ها در تکمیل چرم با فرمت pdf تعداد صفحات 70

این سمینار جهت ارایه در مقطع کارشناسی ارشد طراحی وتدوین گردیده است وشامل کلیه مباحث مورد نیاز سمینارارشد این رشته می باشد.نمونه های مشابه این عنوان با قیمت های بسیار بالایی در اینترنت به فروش می رسد.گروه تخصصی مااین سمینار رابا  قیمت ناچیزی جهت استفاده دانشجویان عزیز در رابطه با منبع اطلاعاتی در اختیار شما قرار می دهد.حق مالکیت معنوی این اثر  مربوط به نگارنده است وفقط جهت استفاده ازمنابع اطلاعاتی وبالا بردن سطح علمی شما دراین سایت ارایه گردیده است.          

کریستال سیلیکون سی - اس آی

اختصاصی از زد فایل کریستال سیلیکون سی - اس آی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

سی-اس آی، اصلی‌ ترین ماده تجاری در تولید سلولهای خورشیدی است و به اشکال مختلفی استفاده می شود : سیلیکون های تک کریستالی ، سیلیکون های چند کریستالی و سیلیکون لایه نازک .تکنیکهای مرسوم برای تولید کریستالین سیلیکون شامل : روش چوکرالسکی، روش محدوده شناور و روشهای دیگری نظیر ریخته‌ گری می باشد. زدودن ناخالصیها از سیلیکون اهمیت بسیاری دارد. این عمل با کمک تکنیکهایی چون منفعل سازی سطح ( با تابش هیدروژن به یک سطح ) و گترینگ ( یک روش شیمیایی که با حرارت دادن ناخالصیها را از سیلیکون بیرون می کشد ) صورت می پذیرد .با اینکه سلولهای خورشیدی با سیلیکون کریستالی ، از سال 1954 وجود داشته اند ، ابتکاری جدید رو به گسترش دارد . سلولهای جدیدی همچون ( ای دبلیو تی ) ، ( سیس ) از این دسته اختراعات نو هستند .

سلولهای خورشیدی با لایه نازک
این نوع سلولها از لایه های بسیار نازک مواد نیمه هادی استفاده می کنند که ضخامت آنها چند میکرومتر است. این لایه روی یک صفحه نگاه دارنده که از مواد ارزان مانند شیشه ، پلاستیک یا فولاد زنگ زن ساخته شده ، قرار می گیرد. نیمه هادی‌های بکاررفته در لایه های نازک عبارتند از : سیلیکون بی شکل ( آمورف ) ( آ-س آی) ، سی آی اس و تلورید کادمیم ( سی دی-تی ای ) . سیلیکون آمورف ، ساختار کریستالی مشخص ندارد و تدریجاٌ با قرار گرفتن در برابر نور از بین رفته وکیفیت ابتدایی خود را از دست می دهد. منفعل سازی به کمک هیدروژن می تواند این اثر را کاهش دهد . از آنجائی که مقدار مواد نیمه هادی بکار رفته در لایه نازک بسیار کمتر از سلولهای پی وی معمول است، هزینه تولید سلولهای نازک نیز به میزان قابل ملاحظه‌ای کمتر از سلولهای خورشیدی سیلیکون کریستال است .

فن آوریهای گروه سه و پنج
این فن‌آوریهای فتوولتائیک که بر اساس عناصر شیمیایی گروه‌های سه و پنج جدول تناوبی ایجاد شده اند، بازده تبدیل انرژی بسیار بالایی را چه در نور عادی و چه در نور متمرکز شده، از خود نشان می دهند. سلولهای تک کریستالی این دسته معمولاٌ از آرسنید گالیم ساخته می شود. آرسنید گالیم می تواند همراه با عناصری مانند ایندیم ، فسفر و آلومینیوم ، تشکیل آلیاژهای نیمه رسانایی بدهد که با مقادیر مختلف انرژی نور خورشید کار می‌کنند .

متن کامل را می توانید دانلود نمائید ....