زد فایل

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

زد فایل

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

دانلود پروژه اصول و نحوه عملکرد میکروکنترلرها

اختصاصی از زد فایل دانلود پروژه اصول و نحوه عملکرد میکروکنترلرها دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود پروژه اصول و نحوه عملکرد میکروکنترلرها


دانلود پروژه اصول و نحوه عملکرد میکروکنترلرها

اصول و نحوه عملکرد میکروکنترلرها

 

 

 

 

 

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه:55

فهرست مطالب :

مقدمه

فصل ۱: اصول و نحوه عملکرد میکروکنترلرها

فصل ۲: اصول و نحوه عملکرد فرستنده ها و گیرنده های رادیویی

فصل ۳: مدار فرستنده و گیرنده

آشنایی با میکروکنترلرها  ( اصول و نحوه عملکرد میکرو کنترلرها)

چکیده :

1-1) آشنایی با میکروکنترلرها

گر چه کامپیوترها تنها چند دهه ای است که با ما همراهند، با این حال تأثیر عمیق آنها بر زندگی ما با تأثیر تلفن، اتومبیل و تلویزیون رقابت می کنند … تصور ما از کامپیوتر معمولاً «داده پردازی» است که محاسبات عددی را بطور خستگی ناپذیر انجام می‎دهد.

ما کامپیوترها را به عنوان جزء مرکزی بسیاری از فرآورده های صنعتی و مصرفی از جمله درسوپرمارکت ها،‌ داخل صندوق های پول و ترازو، در اجاق ها و ماشین های لباسشویی،‌ ساعتهای دارای سیستم خبر دهنده و ترموستات ها، VCR ها و … در تجهیزات صنعتی مانند مته های فشاری و دستگاه های حروفچینی نوری می یابیم. در این مجموعه ها کامپیوترها وظیفه «کنترل» را در ارتباط با «دنیای واقعی»، برای روشن و خاموش کردن وسایل و نظارت بر وضعیت آنها انجام می دهند. میکروکنترلرها (برخلاف ریزکامپیوترها و ریز پرازنده ها) اغلب در چنین کاربردهایی یافت می‎شوند.

با این که بیش از بیست سال از تولد ریزپردازنده ها نمی گذرد، تصور وسایل الکترونیکی و اسباب بازیهای امرزوی بدون آن کار مشکلی است. در 1971 شرکت اینتل، 8080 را به عنوان اولین ریزپردازنده موفق عرضه کرد.

مدت کوتاهی پس از آن شرکت موتورولا، RCA و سپس تکنولوژی MOS و شرکت زایلوگ انواع مشابهی را به ترتیب به نامهای 6800 و 1801 و 6502 و Z80 عرضه کردند. گر چه این IC ها (مدارهای مجتمع) به خودی خود فایده ای زیادی نداشتند اما به عنوان بخشی از یک کامپیوتر تک بورد یا SBC ، به جزء مرکزی فرآورده های مفیدی برای آموزش طراحی با ریزپردازنده ها تبدیل شدند. از این SBC ها که به سرعت به آزمایشگاه های طراحی در کالج ها و شرکهای الکترونیک راه پیدا کردند می‎توان برای نمونه از D2 ساخت موتورولا، KIM-1 ساخت Mos Technology و SCK-85 متعلق به شرکت اینتل نام برد.

«ریزکنترلگر» قطعه ای شبیه به ریز پردازندها ست در 1976 اینتل 8748 را به عنوان اولین قطعه ی خانواده ی ریزکنترلرگرهای MCS-48TM معرفی کرد. 8748 با 17000 ترانزیستور در یک مدار مجتمع شامل یک CPU ، 1 کیلوبایت EPROM ، 64 بایت RAM ،‌27 پایه ورودی - خروجی (I/O) ویک تایمر 8 بیتی بود.

این IC و دیگر اعضای MCS-48TM که پس از آن آمدند، خیلی زود به یک استاندارد صنعتی در کاربردهای کنترل گرا تبدیل شدند. جایگزین کردن اجزاء الکترومکانیکی در فرآورده هایی مثل ماشینهای لباسشویی و چراغ های راهنمایی از ابتدای کار یک کاربرد مورد توجه برای این میکروکنترلرها بودند و همین طور باقی ماندند. دیگر فرآورده هایی که در آنها می‎توان میکروکنترلر را یافت عبارتند از اتومبیلها، تجهیزات صنعتی، وسایل سردرگمی و ابزارهای جانبی کامپیوتر (افرادی که یک PC از IBM دارند کافی است به داخل صفحه کلید نگاه کنند تا مثالی ازیک میکروکنترلر را در یک طراحی با کمترین اجزاء ممکن ببینند).

توان ، ابعاد و پیچیدگی میکروکنترلرها با اعلام ساخت 8051 یعنی اولین عضو خانواده میکروکنترلر MCS-51TM در 1980 توسط اینتل پیشرفت چمشگیری کرد. در مقایسه با 8084 این قطعه شامل بیش از 60000 ترانزیستور، 4K بایت ROM ،‌128 بایت RAM ، 32 خط I/O، یک درگاه سریال و دو تایمر 16 بیتی است که از لحاظ مدارات داخلی برای یک IC ، بسیار قابل ملاحظه است.

امروزه انواع گوناگونی از این IC وجو ددارند که به طور مجازی این مشخصات را دو برابر کرده اند. شرکت زیمنس که دومین تولید کننده قطعات MCS-51TM است ، SAB 80515 را بعنوان یک 8051 توسعه یافته در یک بسته ی 68 پایه با 6 درگاه (پورت) I/O بیتی، 13 منبع وقفه و یک مبدل آنالوگ به دیجیتال با 8 کانال ورودی عرضه کرده است. وخانواده ی 8051 به عنوان یکی از جامعترین و قدرتمندتر ین میکروکنترلرهای 8 بیتی شناخته شده و جایگاهش را به عنوان یک میکروکنترلر مهم برای سالهای آینده یافته است.

2-1) مقایسه ی ریزپردازنده ها با میکروکنترلرها

فرق یک میکروکنترلر با یک پردازنده چیست؟ با این سوال از سه جنبه می‎توان برخورد کرد:

1-2-1) معماری سخت افزار

در حالی که ریزپردازنده یک CPUی تک تراشه ای است، میکروکنترلر در یک تراشه ی واحد شامل یک CPU و بسیاری از مدارات لازم برای یک سیستم میکروکامپیوتری کامل است. اجزای داخل خط چین بخش کاملی از اغلب IC های میکروکنترلر هستند (شکل 2-1). علاوه بر CPU میکروکنترلرها شامل ROM, RAM یک رابطه سریال، یک رابط موازی، تایمر و مدارات زمان بندی وقفه هستند که همگی در یک IC قرار دارند. البته مقدار RAM روی تراشه حتی به میزان آن در یک سیستم میکروکامپیوتری کوچک هم نمی رسد ولی این مساله محدودیتی ایجاد می‎کند برای کاربردهای میکروکنترلر بسیار متفاوت است.

یک ویژگی مهم میکروکنترلرها، سیستم وقفه موجود در آنهاست. میکروکنترلرها به عنوان ابزارهای کنترلرگرا، اغلب برای پاسخ بی درنگ به وقفه ها - محرک های خارجی- مورد استفاده قرار می گیرند، یعنی باید در پاسخ به یک «اتفاق» سریعا یک فرآیند را معوق گزارده، به فرآیند دیگر بپردازند. باز شدن در یک اجاق مایکروو مثالی است ازیک اتفاق که ممکن است باعث ایجاد یک وقفه در یک سیستم میکروکنترلری شود. البته اغلب ریزپردازنده ها می‎توانند سیستم های وقفه ی قدرتمندی را به اجرا بگذارند اما برای این کار معمولاً به اجزای خارجی نیاز دارند. حال آنکه مدارات روی یک تراشه ی یک میکروکنترلر شامل تمام مدارات مورد نیاز برای به کارگیری وقفه ها است.

2-2-1) کاربردها

ریزپردازنده ها اغلب به عنوان CPU در یک سیستم میکروکامپیوتری به کار می روند ولی میکروکنترلرها در طراحی های کوچک با کمترین اجزاء ممکن که فعالیت کنترلرگرا انجام می دهند نیز یافت می‎شوند. این طراحی ها در گذشته با چند ودجین و یا حتی صدها IC دیجیتال انجام می شد و اکنون یک میکروکنترلر می‎تواند در کاهش تعداد کل اجزاء کمک کند. آنچه مورد نیاز است شامل یک میکروکنترلر تعداد کمی اجزاء پشتیبان و یک برنامه کنترلی در ROM می‎باشد. میکروکنترلرها برای «کنترل» ابزارهای I/O در طراحی هایی با کمترین تعداد اجزاء ممکن مناسبند، حال آنکه ریزپردازنده ها مناسب «پردازش» اطلاعات در سیستم های کامپیوتری مناسبند.

3-2-1) ویژگی های مجموعه ی دستور العمل ها

بدلیل تفاوت در کاربردها، مجموعه دستورالعمل های مورد نیاز برای میکروکنترلر تا حدودی با ریزپردازنده ها تفاوت دارد. مجموعه دستور العملهای ریزپردازند ها بر عمل پردازش تمرکز یافته اند و در نتیجه دارای روشهای آدرس دهی قدرتمند به همراه دستور العمل هایی انجام عملیات روی حجم زیاد داده هستند.

دستور العمل ها روی چهاربیت ها، بایت ها، کلمه ها یا حتی کلمات مضاعف عمل می کنند. روش های آدرس دهی با استفاده از فاصله های نسبی و اشاره گرهای آدرس، امکان دسترسی به آرایه های بزرگ داده را فراهم می کنند. حالتهای افزایش یک واحدی اتوماتیک و کاهش یک واحدی اتوماتیک، حرکت گام به گام روی بایت ها، کلمه ها و کلمه های مضاعف را در آرایه ها آسان می کنند. دستور العمل های رمزی نمی توانند در داخل برنامه ی کاربردی اجرا شوند و بسیاری ویژگی های دیگر از این قبیل.

از سوی دیگر میکروکنترلرها ، مجموعه دستور العمل هایی مناسب برای کنترل ورودیها و خروجی ها دارند. ارتباط بسیاری از ورودی ها و خروجی ها تنها نیازمند یک بیت است. برای مثال یک موتور می‎تواند توسط یک سیم پیچ که توسط یک درگاه خروجی یک بیتی، انرژی دریافت می‎کند روشن و خاموش شود. میکروکنترلرها دستور العمل هایی برای 1 کردن و 0 کردن بیت های جداگانه دارند و دیگر عملیات روی بیت ها مثل OR ،‌AND یا EXOR کردن منطقی بیت ها، پرش در صورت 1 یا 0 بودن یک بیت و مانند آنها را نیز انجام می دهند. این ویژگی مفید به ندرت در ریزپردازنده ها یافت می‎شود زیرا آنها معمولاً برای کار روی بایت ها یا واحدهای بزرگتر داده طراحی می‎شوند.

میکروکنترلرها ، برای کنترل و نظارت بر ابزارها (شاید توسط یک رابط تک بیتی)، مدارات داخلی و نیز دستور العملهایی برای عملیات ورودی - خروجی زمان بندی اتفاقات و فعال کردن و تعیین اولویت کردن وقفه های ناشی از محرک های خارجی دارند. ریزپردازنده ها اغلب به مدارات اضافی ( IC های رابط سریال، کنترل کننده های وقفه، تایمرها و غیره) برای انجام اعمال مشابه نیاز دارند. با این همه در قدرت پردازش محض، یک میکروکنترلر هرگز به میکروپروسسور نمی رسد (اگر در بقیه موارد هم یکسان باشند) زیرا بخش عمده «فضای واقعی» IC میکروکنترلر صرف تهیه امکانات روی تراشه می‎شود، البته به قیمت کاهاش توان پردازش.

از آنجا که فضاهای واقعی در تراشه ها برای میکروکنترلرها اهمیت دارند، دستور العمل ها باید بی نهایت فشرده باشند و اساسا در یک بایت پیاده سازی شوند. یکی از نکات در طراحی،‌جا دادن برنامه کنترلی در داخل ROM روش تراشه است، زیرا افزودن حتی یک ROM خارجی، هزینه نهایی تولید را بسیار افزایش می‎دهد. کد گذاری (به رمز در آوردن) فشرده برای مجموعه دستور العملهای میکروکنترلر، ضروری است، در حالی که ریز پردازنده ها به ندرت دارای این ویژگی هستند و روشهای آدرس دهی آنها باعث به رمز در آوردن غیر فشرده ی دستور العمل ها می‎شود.

و...

NikoFile


دانلود با لینک مستقیم


دانلود پروژه اصول و نحوه عملکرد میکروکنترلرها

پایان نامه کارشناسی ارشد مهندسی عمران تحلیل و ارزیابی عملکرد Ramp Metering در بزرگراه ها با نرم افزارهای گرافیکی

اختصاصی از زد فایل پایان نامه کارشناسی ارشد مهندسی عمران تحلیل و ارزیابی عملکرد Ramp Metering در بزرگراه ها با نرم افزارهای گرافیکی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

پایان نامه کارشناسی ارشد مهندسی عمران تحلیل و ارزیابی عملکرد Ramp Metering در بزرگراه ها با نرم افزارهای گرافیکی


پایان نامه کارشناسی ارشد مهندسی عمران تحلیل و ارزیابی عملکرد Ramp Metering در بزرگراه ها با نرم افزارهای گرافیکی

دانلود پایان نامه کارشناسی ارشد مهندسی عمران تحلیل و ارزیابی عملکرد Ramp Metering در بزرگراه ها با نرم افزارهای گرافیکی با فرمت pdf تعداد صفحات 161

دانلود پایان نامه اماده

 

 

این پایان نامه جهت ارائه در مقطع کارشناسی ارشد رشته مهندسی عمران طراحی و تدوین گردیده است . و شامل کلیه مباحث مورد نیاز پایان نامه ارشد این رشته می باشد.نمونه های مشابه این عنوان با قیمت های بسیار بالایی در اینترنت به فروش می رسد.گروه تخصصی ما این پایان نامه را با قیمت ناچیزی جهت استفاده دانشجویان عزیز در رابطه با منبع اطلاعاتی در اختیار شما قرار می دهند. حق مالکیت معنوی این اثر مربوط به نگارنده است. و فقط جهت استفاده از منابع اطلاعاتی و بالابردن سطح علمی شما در این سایت ارائه گردیده است.   

 


دانلود با لینک مستقیم


پایان نامه کارشناسی ارشد مهندسی عمران تحلیل و ارزیابی عملکرد Ramp Metering در بزرگراه ها با نرم افزارهای گرافیکی

تحقیق اقتصادی:دلیل بی‌ثباتی عملکرد اقتصاد ایران چیست؟

اختصاصی از زد فایل تحقیق اقتصادی:دلیل بی‌ثباتی عملکرد اقتصاد ایران چیست؟ دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تحقیق اقتصادی:دلیل بی‌ثباتی عملکرد اقتصاد ایران چیست؟


تحقیق اقتصادی:دلیل بی‌ثباتی عملکرد اقتصاد ایران چیست؟

تحقیق اقتصادی:دلیل بی‌ثباتی عملکرد اقتصاد ایران چیست؟

 

عملکرد تولید و نرخ رشد اقتصاد ایران در پنج دهه اخیر

عملکرد تولید ناخالص داخلی و تولید ناخالص داخلی سرانه

عملکرد نرخ رشد اقتصاد ایران

واکاوی ریشه معضل رشد اقتصادی پایین و بی‌ثبات ایران

ضعف رقابت در نظام اقتصادی ایران

اثر ساختاری درآمد نفت بر تولید و رشد اقتصادی در بلندمدت

اثر عملکردی درآمد نفت بر تولید و رشد اقتصادی در کوتاه‌مدت

گسترش بیش از حد مخارج دولت و بی‌ثباتی سیاست مالی

نرخ بالا و بی‌ثبات رشد حجم پول

تعیین دستوری نرخ سود بانکی

کاهش نرخ واقعی ارز

پیشرفت تکنولوژیک و رشد اقتصادی

سیاست خارجی و رشد اقتصادی


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق اقتصادی:دلیل بی‌ثباتی عملکرد اقتصاد ایران چیست؟

بررسی روشهای مختلف تیغ زنی بر عملکرد و بقای گیاه دارویی آنغوزه

اختصاصی از زد فایل بررسی روشهای مختلف تیغ زنی بر عملکرد و بقای گیاه دارویی آنغوزه دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

بررسی روشهای مختلف تیغ زنی بر عملکرد و بقای گیاه دارویی آنغوزه


بررسی روشهای مختلف تیغ زنی بر عملکرد و بقای گیاه دارویی آنغوزه

 

 

 

 

 

 

 

مقاله کشاورزی و گیاهشناسی با عنوان بررسی روشهای مختلف تیغ زنی بر عملکرد و بقای گیاه دارویی آنغوزه در فرمت ورد در 12 صفحه و حاوی مطالب زیر می باشد:

مقدمه
مواد و روش ها منطقه مورد مطالعه
مراحل بهره برداری
مرحله پیچاندن
مرحله کُشتن
مرحله تیغ زدن
روش های تیغ زنی مورد مطالعه
طرح آماری و نمونه گیری
اثر روشهای تیغ زنی بر عملکرد شیره
اثر روشهای تیغ زنی بربقای گیاه
بحث و نتیجه گیری
منابع مورد استفاده

 


دانلود با لینک مستقیم


بررسی روشهای مختلف تیغ زنی بر عملکرد و بقای گیاه دارویی آنغوزه

دانلود مقاله آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور

اختصاصی از زد فایل دانلود مقاله آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود مقاله آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور


دانلود مقاله آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور

نیمه هادی ها و ساختمان داخلی آنها
نیمه هادی ها عناصری هستند که از لحاظ هدایت ، ما بین هادی و عایق قرار دارند، و مدار آخر نیمه هادیها ، دارای 4 الکترون می‌باشد.
ژرمانیم و سیلیکون دو عنصری هستند که خاصیت نیمه هادی ها را دارا می‌باشند و به دلیل داشتن شرایط فیزیکی خوب ، برای ساخت نیمه هادی دیود ترانزیستور ، آی سی (IC ) و .... مورد استفاده قرار می‌گیرد.
ژرمانیم دارای عدد اتمی‌32 می‌باشد .
این نیمه هادی ، در سال 1886 توسط ونیکلر  کشف شد.
این نیمه هادی ، در سال 1810توسط گیلوساک  و تنارد  کشف شد. اتمهای نیمه هادی ژرمانیم و سیلیسیم به صورت یک بلور سه بعدی است که با قرار گرفتن بلورها در کنار یکدیگر ، شبکه کریستالی آنها پدید می‌آید .
اتم های ژرمانیم و سیلیسیم به دلیل نداشتن چهار الکترون در مدار خارجی خود تمایل به دریافت الکترون دارد تا مدار خود را کامل نماید. لذا بین اتم های نیمه هادی فوق ، پیوند اشتراکی برقرار می‌شود.
بر اثر انرژی گرمائی محیط اطراف نیمه هادی ، پیوند اشتراکی شکسته شده و الکترون آزاد می‌گردد. الکترون فوق و دیگر الکترون هائی که بر اثر انرژی گرمایی بوجود می‌آید در نیمه هادی وجود دارد و این الکترون ها به هیچ اتمی‌وابسته نیست.
د ر مقابل حرکت الکترون ها ، حرکت دیگری به نام جریان در حفره ها که دارای بار مثبت می‌باشند، وجود دارد. این حفره ها، بر اثر از دست دادن الکترون در پیوند بوجود می‌آید.
بر اثر شکسته شدن پیوندها و بو جود آمدن الکترون های آزاد و حفره ها ، در نیمه هادی دو جریان بوجود می‌آید.جریان اول حرکت الکترون که بر اثر جذب الکترون ها به سمت حفره ها به سمت الکترون ها بوجود خواهد آمد و جریان دوم حرکت حفره هاست که بر اثر جذب حفره ها به سمت الکترون ها بوجود می‌آید. در یک کریستال نیمه هادی، تعداد الکترونها و حفره ها با هم برابرند ولی حرکت الکترون ها و حفره ها عکس یکدیگر می‌باشند.

1.    نیمه هادی نوع N وP
از آنجایی که تعداد الکترونها و حفره های موجود  در کریستال ژرمانیم و سیلیسیم در دمای محیط کم است و جریان انتقالی کم می‌باشد، لذا به عناصر فوق ناخالصی اضافه می‌کنند.
هرگاه به عناصر نیمه هادی ، یک عنصر 5 ظرفیتی مانند آرسنیک یا آنتیوان تزریق  شود، چهار الکترون مدار آخر آرسنیک با چهار اتم مجاور سیلسیم یا ژرمانیم تشکیل پیوند اشتراکی داده و الکترون پنجم آن ، به صورت آزاد باقی می‌ماند.
بنابرین هر اتم  آرسنیک، یک الکترون اضافی تولید می‌کند، بدون اینکه حفره ای ایجاد شده باشد. نیمه هادی هایی که ناخالصی آن از اتم های پنج ظرفیتی باشد، نیمه هادی نوع N  نام دارد.
در نیمه هادی نوع N ، چون تعداد الکترون ها خیلی بیشتر از تعداد حفره هاست لذا عمل هدایت جریان را انجام می‌دهند . به حامل هدایت فوق حامل اکثریت و به حفره ها حامل اقلیت می‌گویند.
هرگاه به عناصر نیمه هادی ژرمانیم و سیلیسیم ، یک ماده 3 ظرفیتی مانند آلومنیوم یا گالیم تزریق شود، سه الکترون مدار آخر آلومنیوم با سه الکترون سه اتم سیلیسیم یا ژرمانیم مجاور ، تشکیل پیوند اشتراکی می‌دهند . پیوند چهارم دارای کمبود الکترون و در واقع یک حفره تشکیل یافته است .
هر اتم سه ظرفیتی، باعث ایجاد یک حفره می‌شود، بدون اینکه الکترون آزاد ایجاد شده باشد. در این نیمه هادی ناخالص شده، الکترون ها فقط در اثر شکسته شدن پیوندها بو جود می‌آیند.
نیمه هادی هایی که ناخالصی آنها از اتم های سه ظرفیتی باشد، نوع P   می‌نامند .
حفره ها در این نیمه هادی به عنوان حامل های اکثریت و الکترون ها به عنوان حاملهای اقلیت وجود دارد، تبدیل یک نیمه هادی نوع p وn و بالعکس بوسیله عملی به نام «جبران»(Compensation) امکان پذیر می‌باشد .

 36 صفحه فایل ورد قابل ویرایش

 

فهرست مطالب:

نیمه هادی ها و ساختمان داخلی آنها. ۲

۱- نیمه هادی نوع N وP.. 3

2- اتصال PN و تشکیل نیمه های دیود. ۵

۳ـ۱) لایه تهی… ۶

۳ـ۲) پتانسیل سد.. ۷

۳ـ۳ ولتاژ شکست…. ۹

۳ـ۴ منحنی دیود در بایاس مستقیم.. ۱۰

۳ـ۵ منحنی دیود. ۱۱

۳ـ۶ دیود ایده آل.. ۱۱

۳ـ۷ ظرفیت دیود. ۱۲

۳ـ۸ دیود با ظرفیت متغییر(وراکتور). ۱۳

۳ـ۹ دیود زنر. ۱۳

۳ـ۹ـ۱ شکست بهمنی و شکست زنر. ۱۳

۳ـ۱۰خاصیت خازنی پیوند و دیودهای وراکتور. ۱۵

مدارهای دیودی… ۱۵

۳-۱۱عیب یابی… ۱۶

۴ـ۱ ترانزیستور بدون بایاس…. ۲۰

۴ـ۲ بایاس FF وRR.. 21

4ـ۳ بایاس FR.. 22

4ـ۴ مقاومت اهمی‌بیس…. ۲۴

۴ـ۵ ولتاژهای شکسته. ۲۵

۴ـ۶ بیس مشترک… ۲۷

۴ـ۷ امیتر مشترک… ۲۸

۴ـ ۸ کلکتور مشترک… ۲۸

۴ـ۹عیب یابی… ۲۸

عیوب متداول.. ۲۸

تعمیرکار چگونه باید فکر کند؟. ۲۹

فهرست منابع.. ۳۲

 


دانلود با لینک مستقیم


دانلود مقاله آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور