بزه‎دیدگی اطفال بزهکار (پژوهشی میدانی درباره‎یِ بزه‎دیدگی مددجویان کانون اصلاح و تربیت تهران)

اختصاصی از زد فایل بزه‎دیدگی اطفال بزهکار (پژوهشی میدانی درباره‎یِ بزه‎دیدگی مددجویان کانون اصلاح و تربیت تهران) دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

بزه‎دیدگی اطفال بزهکار

(پژوهشی میدانی درباره‎یِ بزه‎دیدگی مددجویان کانون اصلاح و تربیت تهران)

18 صفحه در قالب word

چکیده:

در این نوشتار پس از ذکر پیشینه‎یِ تاریخی بزه دیده در فرایند کیفری و نگاهی مختصر به تاریخچه‎یِ بزه دیده شناسی، در مورد مبانی نظری بزه‎دیدگی اطفال سخن به میان آمده و بی‎توجهی به «وضعیت خاص» اطفال چون کم سن و سال بودن، وابستگی به پدر و مادر، نیاز به محبت، همنشینی با همسالان کژرو و نظایر آن، از یک سو و از سوی دیگر، بی توجهی به این «وضعیت خاص» از سوی نهادهای کیفری متولی و جامعه، به عنوان مبنای بزه‎دیدگی اطفال به شمار آمده است. در تهیه‎یِ پرسشنامه‎‎یِ اجرایی نیز سعی گردید که این بی توجهی‎ها به صورت پرسشنامه از مددجویان مطرح گردد. یافته‎ها حاکی از آن بود که عواملی چون، زندگی در محله‎هایِ بدنام و فقیر، فقر، مشکلات و نارسایی‎های خانوادگی، دوستان و همسالان، مناسب نبودن محیط‎های محل گذران محکومیت و بی‎کاری مددجویان ـ که خود موجب روی آوردن آنان به آموزش فنون بزهکارانه است در بزه‎دیدگی اطفال و تکرار آن مؤثرند و نارسایی‎های نظام کیفری ما نیز این امر را تشدید می‎کند. در پایان هم به منظور پیشگیری از بزه‎دیدگی اطفال؛ ایجاد زمینه‎یِ حضور وکیل در محاکمات کیفری، ایجاد زمینه‎های کار اجباری همراه با کارمزد به جای نگهداری در کانون اصلاح و تربیت، تشکیل دادگاه کیفری اطفال با صلاحیت ذاتی و استفاده از یک رژیم کیفری خاص و مسئولیت نقصان یافته، پیشنهاد گردیده است.      
مقدمه و مبانی نظری

1ـ گذری تاریخی

مطالعه‎یِ نقش بزه‎دیده در فرایند تراژدی کیفری که از نیمه‎یِ قرن بیستم توسط جرم‎شناسان صورت علمی و سازمان یافته به خود گرفت، مسأله‎ای نیست که تاریخ حقوق کیفری با آن ناآشنا باشد، بزه‎دیده از همان بدو تولد حقوق کیفری در جوامع باستانی تا روزگارانی نزدیک به امروز نقشی ممتاز در دعاوی کیفری ایفا می‎کرده و در واقع خود به تنهایی بازیگر نیمی از این صحنه بوده است. از قانون هیتی‎ها1 (نجفی ابرندآبادی) و حمورابی2 (آشوری) گرفته تا قوانین ایران، یونان و رم باستان و تمدن‎های کهن و باستانی نظیر مصر و چین و از ادیان بزرگ الهی چون شریعت موسی (ع) گرفته تا نوشته‎های آباء کلیسا در قرون وسطی و دین مبین اسلام همه و همه بر اهمیت نقش بزه‎دیدگان در دعاوی کیفری ولزوم جبران خسارت وارده به آنان تأکید داشته‎اند. در واقع از نظر تاریخی نیز تقدم نظام دادرسی اتهامی بر پیدایش نظام رسیدگی تفتیشی که در آن نظام بزه‎دیده خود آغازگر جریان دعوا بود و تا شاکی نبود، دعوایی اقامه نمی‎شد و نیز  ضرب المثل‎های حقوقی مربوط به این نظام نظیر؛ «اگر شاکی نباشد دعوایی متصور نیست» و یا «مدعی کسی است که اگر دعوا را ترک کند، ترک می‎شود» همه حاکی از اهمیت نقش بزه‎دیده در دعاوی کیفری پیش از پیدایش نظام تفتیشی است. نظام تفتیشی که از نظر تاریخی موخر بر نظام دادرسی اتهامی است، در اواسط قرون وسطی پا به میدان گذاشت که نتیجه‎یِ آن ورود شخص ثالثی در دعوایِ کیفری، افزون بر بزه‎دیده و مجرم بود و آن کسی جز دولت نبود. با اقتدار دولت‎ها، اختراع نظام دادرسی تفتیشی توسط آباء کلیسا و اقتباس این سیستم توسط دولت‎ها، نقش دولت‎ها در طرح و اقامه‎ی دعوای کیفری روز به روز برجسته‎تر گردید و نقش بزه‎دیده در این دعاوی رو به محاق گذاشت.پیدایش مفهوم نظم عمومی از یک سو و حاکمیت از سوی دیگر، ایجاد نهادهایی چون پارکه و دادسرا و به تبع این نهادها ایجاد مناصب جدید قضایی نظیر قضات ایستاده، وکلای عمومی یا نماینده‎ی پادشاه موجب تضعیف نقش بزه‎دیده در مراحل مختلف دعاوی کیفری و در نهایت افول آن گردید. «ولی در واقع افول واقعی موقعیت مجنی علیه باپیدایش حقوق کیفری تحقق پیدا کرد3. زیرا بر اساس آن، عمل بزهکارانه، به جای آنکه اقدامی علیه فرد بزه‎دیده تلقی گـردد، عمل مجرمانه‎ای علیـه مقام سلطنت و بعدها علیه دولت محسوب گردید4.(عزت فتاح، ص 91)»‌ و «هنگامی که دولت حق تعقیب جزایی را به انحصار خود درآورد و غرامت قابل پرداخت به بزه‎دیده را به جریمه‎یِ قابل پرداخت به خزانه‎یِ پادشاه تبدیل نمود، بزه‎دیده به صورت یک فرد از یاد رفته وفاقد موقعیت حقوقی گردید5.(فتاح، ص 2ـ91)» بدین سان «وضعیت فعلی بزه‎دیدگان ناشی از این واقعیت است که بزه دیگر به عنوان یک تعارض مابین دو انسان و دو موجود بشری محسوب نشده، بلکه به عنوان یک اختلاف میان بزهکار و جامعه بشمار می‎آید. با چنین نگرشی بزه، تعهدی را در مورد بزه‎دیده ایجاد نمی‎کند.، بلکه بزهکار را در قبال جامعه مدیون می‎سازد و زمانیکه بزهکار بــه‎ مجازات برسد دین او نیز ادا شده است6 (فتاح، ص 94)» و حال آنکه در فلسفه‎یِ نوین عدالت کیفری، هدف اولیه‎ی حقوق جزا، التیام بخشیدن به صدمه‎ی وارده، ترمیم زیان، جبران خسارت و پیشگیری از وقوع جرم در آینده نیز می‎باشد7 (فتاح، ص 95).

ممکن است هنگام انتقال از فایل ورد به داخل سایت بعضی متون به هم بریزد یا بعضی نمادها و اشکال درج نشود ولی در فایل دانلودی همه چیز مرتب و کامل است

متن کامل را می توانید در ادامه دانلود نمائید

چون فقط تکه هایی از متن برای نمونه در این صفحه درج شده است ولی در فایل دانلودی متن کامل همراه با تمام ضمائم (پیوست ها) با فرمت ورد word که قابل ویرایش و کپی کردن می باشند موجود است

دانلود پایان نامه ترانزیستورهای اثر میدانی تونلی (TFET ) و بهینه سازی مشخصات آن

اختصاصی از زد فایل دانلود پایان نامه ترانزیستورهای اثر میدانی تونلی (TFET ) و بهینه سازی مشخصات آن دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

در این پایان نامه اصول فیزیکی حاکم بر افزاره TFET و همچنین مشخصه های الکتریکی افزاره مورد بررسی قرار گرفته است. در فصل سوم آثار کانال کوتاه افزاره TFET با افزاره MOSFET مقایسه شده است. یکی از چالش های اصلی در TFET، بهینه سازی لحظه ای نسبت Ion/Ioff است. در فصل چهارم کارهایی که تاکنون برای افزایش نسبت Ion/Ioff انجام شده است مورد بررسی قرار می گیرد. در فصل پنجم، چهار ساختار بدیع برای کاهش جریان نشستی افزاره و افزایش نسبت Ion/Ioff ارائه شده است. ساختارهای پیشنهادی با شبیه ساز افزاره DESSIS شبیه سازی شده اند. ساختار اول، TFET تک گیتی با اکسید گیت نامتقارن است که در مقایسه با TFET تک گیتی با اکسید گیت متقارن سرعت کلیدزنی بالایی دارد. ساختار دوم TFET دو گیتی با اکسید گیت نامتقارن است که در مقایسه با TFET تک گیتی با اکسید گیت نامتقارن، جریان حالت روشن دو برابر دارد. ساختار سوم TFET تک گیتی با اکسید Low-k و ساختار چهارم TFET دو گیتی با اکسید low-k است که دارای مشخصات زیر آستانه قابل توجهی نسبت به TFET تک گیتی است.

مقدمه:

با پیشرفت فناوری، ابعاد افزاره MOSFET کاهش یافته و به رژیم نانومتر مقیاس شده است. هدف از مقیاس بندی بیش از حد افزاره ها، دستیابی به مداراتی است که توان مصرفی اندک، سرعت زیاد و چگالی افزاره بالایی دارند. لیکن با کاهش طول گیت آثار کانال کوتاه (SCEs) پدیدار شده و مقیاس بندی افزاره را محدود می کند. آثار کانال کوتاه شامل افزایش جریان نشتی، کاهش سد پتانسیل القاء شده توسط درین (DIBL)، سوراخ شدگی، اشباع سرعت و… است که منشأ تمام آنها افزایش عرض ناحیه تخلیه در طرف درین است. در افزاره های MOSFET، آثار کانال کوتاه برای طول گیت های کمتر از 100nm ظاهر شده و باعث می شود منحنی مشخصه خروجی افزاره (ID-VDS) حتی در ناحیه اشباع به مقدار ثابتی نرسد.

آثار کانال کوتاه موجب کاهش کارآیی افزاره می گردد، لذا نیاز به افزاره های جدید برای مقابله با SCEs روز به روز بیشتر احساس می شود. یکی از افزاره هایی که اخیرا مطرح شده TFET می باشد. این افزاره برای اولین بار توسط “توشیو بابا” در سال 1992 پیشنهاد شد. با پیشرفت فناوری و نیاز به افزاره های با جریان نشتی کم برای کاربردهای توان پایین، TFET مورد توجه قرار گرفته است. تاکنون کارهای متعددی برای بهینه سازی مشخصات TFET صورت گرفته است. این افزاره نسبت به MOSFET، جریان نشت استاتیک کمتری دارد و در مقابل SCEs مقاوم تر است.

فصل اول: کلیات

مقدمه:

ترانزیستور اثر میدان تونلی (TFET) یک دیود p-i-n بایاس معکوس است که پتانسیل ناحیه ذاتی آن توسط گیت کنترل می شود. در این فصل مؤلفه های جریان بایاس معکوس یک پیوند p-n شرح داده می شود. در ادامه با تاریخچه افزاره TFET و چالش اصلی در آن آشنا می شویم و به بررسی کارهای انجام شده برای بهبود مشخصه Ion/Ioff خواهیم پرداخت.

1-1- پیوند p-n تحت شرایط بایاس معکوس

شکل (1-1) یک پیوند p-n را تحت شرایط بایاس معکوس نشان می دهد. با افزایش بایاس معکوس، ممکن است که جریان دیود به طور فزاینده ای افزایش یابد. این پدیده که شکست نامیده می شود ممکن است به لحاظ یکی از سه منشأ زیر به وجود آید. اولین علتی که بررسی خواهیم کرد، سوراخ شدن خوانده می شود.

1-1-1- سوراخ شدن

با افزایش بایاس معکوس، عرض ناحیه تخلیه که بر روی آن پتانسیل افت می کند، افزایش می یابد. وضعیت را در نظر بگیرید که در آن ناحیه ای که آلایش زیادی از نوع p دارد، در مجاورت ناحیه ای که دارای آلایش اندک نوع n است قرار داشته باشد. در این صورت ناحیه تخلیه طرف n بسیار بزرگتر از ناحیه تخلیه طرف p است. در ولتاژ زیاد معینی، ناحیه تخلیه طرف n به اتصال اهمی طرف n خواهد رسید. اگر ولتاژ باز هم افزایش یابد، اتصال رسوخ میدان الکتریکی را احساس خواهد کرد و الکترون در اختیار دیود p-n قرار خواهد داد. در نتیجه دیود اتصال کوتاه می شود و جریان صرفا توسط مقاومت های مدار خارجی محدود می گردد.

2-1-1- یونیزه شدن برخوردی یا شکستن بهمنی

افزایش بایاس معکوس موجب افزایش انرژی حامل ها می شود، در این شرایط الکترونی که خیلی داغ می باشد، از الکترونی که در نوار ظرفیت قرار دارد، از طریق برهم کنش کولمبی پراکنده می شود و آن را به نوار هدایت پرتاب می کند. الکترون اولیه باید انرژی کافی را برای بالا بردن الکترون از نوار ظرفیت به نوار هدایت فراهم آورد. بنابراین انرژی الکترون اولیه باید کمی بزرگتر از شکاف انرژی (که نسبت به کمینه نوار هدایت اندازه گیری می شود) باشد. حال در تراز نهایی، دو الکترون در نوار هدایت و یک حفره در نوار ظرفیت داریم. بنابراین تعداد بارهایی که جریان را حمل می نمایند، تکثیر یافته است. این پدیده اغلب پدیده بهمنی نامیده می شود. توجه داشته باشید که این مسأله برای حفره های داغ نیز ممکن است اتفاق بیفتد و حفره ها نیز می توانند آغازگر پدیده بهمنی باشند.

شامل 124 صفحه فایل pdf