
کریستال ریپورت در وب (Asp.net) با سورس و فیلم آموزشی
کریستال ریپورت در وب (Asp.net) با سورس و فیلم آموزشی
کریستال ریپورت در وب (Asp.net) با سورس و فیلم آموزشی
کریستالهای دوشکستی Birefringence Crystals
انواع کریستالها کریستال همسانگرد
وقتی پرتوی به مواد اپتیکی معمولی ، مانند بلور نمک طعام وارد میشود، در همان راستا ولی با کمی جابجایی از داخل بلور خارج میشود. یعنی پرتو ورودی و خروجی موازی و هم راستا میباشند. قانون حاکم در عبور نور از یک محیط به محیط دیگر قانون اسنل میباشد که این مواد از آن پیروی میکنند. در این مواد که به مواد همسانگرد معروفند، برای یک طول موج ، یک ضریب شکست خواهیم داشت. بنابراین اگر نور تکفامی را در هر جهتی به جسم بتابانیم، در داخل آن سرعت یکسانی خواهد داشت.
کریستال ناهمسانگرد
کریستالهایی داریم که در مقابل تابش نور ، درجهتهای مختلف در داخل خود ، خواص متفاوتی از خود بروز میدهند. این مواد به کریستالهای ناهمسانگرد معروفند. کریستالهای دوشکستی از این نوع هستند که از یک پرتو غیر قطبیده ، دو پرتو قطبیده درست میکنند که قطبشهای آنها بر هم عمودند.
پدیده شکست دوگانه اولین بار در قرن 17 توسط «بارتولینوس» کشف شد. کریستالهای دوشکستی علاوه بر این که قطبندههای خطی هستند، برای تغییر دادن نوع قطبش یک باریکه نور هم مورد استفاده قرار میگیرند. تیغههای ربع موج و نیم موج کریستالهای دو شکستی هستند که برای این منظور استفاده میشوند.
ریشه لغوی
نام کلسیت از کلمه لاتین کالکس (Calx) به معنی آهک سوزان گرفته شده است.
سیستم تبلور
کلسیت در سیستم تریگونال ، رده اسکالنوئدریک متبلور میشود. دارای بلورهای درشت و مشخص و یا بصورت تودههای دانهای میباشد. فرمهای رومبوئدر و اسکالنوئدر کلسیت فراوانتر است. دارای ماکلهای گوناگون و متنوع نیز میباشد.
ساختار کلسیت
ساختار کلسیت به صورت رومبوئدر است و در آن یونهای کلسیم و بنیان (CO3)2- بطور یک در میان قرار دارند. در بنیان CO3 هر کربن بوسیله سه اکسیژن ، به صورت مثلث احاطه شده است و مثلثها در صفحههای عمود بر محور C قرار دارند. این ساختار را میتوان با شبکه تبلوری نمک طعام مقایسه نمود که در آن یونهای کلسیم در موقعیت یونهای سدیم و مثلثهای CO3 در موقعیت مکانی یونهای کلر قرار دارند.
سی-اس آی، اصلی ترین ماده تجاری در تولید سلولهای خورشیدی است و به اشکال مختلفی استفاده می شود : سیلیکون های تک کریستالی ، سیلیکون های چند کریستالی و سیلیکون لایه نازک .تکنیکهای مرسوم برای تولید کریستالین سیلیکون شامل : روش چوکرالسکی، روش محدوده شناور و روشهای دیگری نظیر ریخته گری می باشد. زدودن ناخالصیها از سیلیکون اهمیت بسیاری دارد. این عمل با کمک تکنیکهایی چون منفعل سازی سطح ( با تابش هیدروژن به یک سطح ) و گترینگ ( یک روش شیمیایی که با حرارت دادن ناخالصیها را از سیلیکون بیرون می کشد ) صورت می پذیرد .با اینکه سلولهای خورشیدی با سیلیکون کریستالی ، از سال 1954 وجود داشته اند ، ابتکاری جدید رو به گسترش دارد . سلولهای جدیدی همچون ( ای دبلیو تی ) ، ( سیس ) از این دسته اختراعات نو هستند .
سلولهای خورشیدی با لایه نازک
این نوع سلولها از لایه های بسیار نازک مواد نیمه هادی استفاده می کنند که ضخامت آنها چند میکرومتر است. این لایه روی یک صفحه نگاه دارنده که از مواد ارزان مانند شیشه ، پلاستیک یا فولاد زنگ زن ساخته شده ، قرار می گیرد. نیمه هادیهای بکاررفته در لایه های نازک عبارتند از : سیلیکون بی شکل ( آمورف ) ( آ-س آی) ، سی آی اس و تلورید کادمیم ( سی دی-تی ای ) . سیلیکون آمورف ، ساختار کریستالی مشخص ندارد و تدریجاٌ با قرار گرفتن در برابر نور از بین رفته وکیفیت ابتدایی خود را از دست می دهد. منفعل سازی به کمک هیدروژن می تواند این اثر را کاهش دهد . از آنجائی که مقدار مواد نیمه هادی بکار رفته در لایه نازک بسیار کمتر از سلولهای پی وی معمول است، هزینه تولید سلولهای نازک نیز به میزان قابل ملاحظهای کمتر از سلولهای خورشیدی سیلیکون کریستال است .
فن آوریهای گروه سه و پنج
این فنآوریهای فتوولتائیک که بر اساس عناصر شیمیایی گروههای سه و پنج جدول تناوبی ایجاد شده اند، بازده تبدیل انرژی بسیار بالایی را چه در نور عادی و چه در نور متمرکز شده، از خود نشان می دهند. سلولهای تک کریستالی این دسته معمولاٌ از آرسنید گالیم ساخته می شود. آرسنید گالیم می تواند همراه با عناصری مانند ایندیم ، فسفر و آلومینیوم ، تشکیل آلیاژهای نیمه رسانایی بدهد که با مقادیر مختلف انرژی نور خورشید کار میکنند .
متن کامل را می توانید دانلود نمائید ....