بررسی رفتار تونل های متقاطع با گسل برمبنای مطالعات آزمایشگاهی و عددی

اختصاصی از زد فایل بررسی رفتار تونل های متقاطع با گسل برمبنای مطالعات آزمایشگاهی و عددی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

عنوان مقاله :بررسی رفتار تونل های متقاطع با گسل برمبنای مطالعات آزمایشگاهی و عددی

 محل انتشار:نهمین کنگره ملی مهندسی عمران مشهد

تعداد صفحات: 8

نوع فایل : pdf

تحقیق درباره لامپ‌های با میدان متقاطع

اختصاصی از زد فایل تحقیق درباره لامپ‌های با میدان متقاطع دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

 

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

 

تعداد صفحه:63

فهرست و توضیحات:

مقدمه

بیان مسأله

اهمیت موضوع

اهداف کاربردی

اهداف نهایی

تعریف مفاهیم و واژه

لامپ‌های با میدان متقاطع

مقدمه

اسیلاتورهای مگنترون

مگنترون موج رونده

مگنترون‌های استوانه‌ای

مگنترون کواکسیالی

مگنترون با قابلیت تنظیم ولتاژ

شیارهایی که در پشت دیواره حفره‌های متناوب ساختار رزوناتوری آند قرار دارند به طور محکمی میدان‌های الکتریکی این رزوناتورها را با حفره احاطه‌کننده کوپل می‌کنند. در عمل مود   میدان‌های الکتریکی در همه حفره‌های دیگر هم فاز هستند و بنابراین آنها در جهت یکسان با حفره احاطه‌کننده کوپل می‌شوند. در نتیجه حفره کواکسیالی محیطی مگنترون را در مورد     مطلوب تثبیت می‌کند. در مورد TE011 مطلوب میدان‌های الکتریکی مسیری دایروی را در داخل حفره طی می‌کنند و در دیواره‌های حفره به صفر کاهش می‌یابند. جریان در مورد TE011 در دیواره‌های حفره در مسیرهای دایروی حول محور لامپ جریان دارند. مودهای غیرمطلوب توسط تضعیف‌کننده در داخل استوانه داخلی شیاردار نزدیک انتهاهای شیارهای کوپلینگ میرا می‌شوند. مکانیزم تنظیم ساده و قابل اعتماد است. رزوناتور آند مگنترون کواکسیالی می‌تواند بزرگتر و با پیچیدگی کمتری نسبت به مگنترون قراردادی باشد. بنابراین بارگذاری کاتد کمتر است و شیب‌های ولتاژ کاهش داده می‌شوند.

   مگنترون با قابلیت تنظیم ولتاژ یک اسیلاتور باند وسیع با فرکانس متغیر با تغییر ولتاژ اعمال شده بین آندوسل[3] است. همانطور که در شکل زیر نشان داده می‌شود پرتو الکتریکی از یک کاتد استوانه‌ای کوتاه از یک انتهای دستگاه ساطع می‌شود.

الکترون‌ها توسط میدان‌های الکتریکی مغناطیس به شکل یک پرتو توخالی درمی‌آیند و سپس به طور اساسی از کاتد به بیرون فرستاده می‌شود. سپس پرتو الکترونی به ناحیه بین سل و کاتد وارد می‌شوند. پرتو با سرعتی که توسط میدان مغناطیسی محوری و ولتاژ dc اعمال شده بین آند و سل کنترل می‌شود حول سل می‌گردد.

  مگنترون با ولتاژ قابل تنظیم از یک رزوناتور با Q کم استفاده می‌کند و پهنای باند آن در سطوح قدرت کم از 50% تجاوز می‌کند. در مورد ، فرآیند دسته‌شدن پرتو توخالی در رزوناتور رخ می‌دهد و فرکانس نوسان توسط سرعت چرخشی پرتو الکترونی تعیین می‌شود. به عبارت دیگر فرکنش نوسان را می‌توان با تغییر ولتاژ dc اعمال شده بین آند و سل کنترل کرد.

   در سطوح قدرت بالا و فرکانس‌های بالا درصد پهنای باند محدود است، در حالیکه در سطوح قدرت کم و فرکانس‌های بالا پهنای باند ممکن است به 70% برسد.Sole

بررسی پاسخ مصرف کننده قومی به بسط های متقاطع برند

اختصاصی از زد فایل بررسی پاسخ مصرف کننده قومی به بسط های متقاطع برند دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

ترجمه مقاله 7 صفحه ای منتشر شده در سال 2014 تحت عنوان

Exploring ethnic consumer response to crossover brand extensions